(单片机原理及应用技术)第6章单片机应用系统扩展设计.ppt

6.1.2、扩展使用的三总线 地址总线：P0－低8位 P2－高8位 数据总线：P0 控制总线：RD、WR、 ALE、 PSEN (读、 写、地址锁存允许、 外程序存储器读选通） 6.2.2 随机读写存储器RAM的扩展 2. 地址锁存器的原理 3.地址锁存器芯片 4. 62128与MCS51的连接 6.2.3 只读存储器ROM的扩展 工作时，ROM中的信息只能读出，要用特殊方式写入(固化信息)，失电后可保持 信息不丢失。 1. 掩膜ROM：不可改写ROM 由生产芯片的厂家固化信息。在最后一道工序用掩膜工艺写入信息，用户只可读。 2. PROM：可编程ROM 用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连，当加入写脉冲，某些存储单元 熔丝熔断，信息永久写入，不可再次改写。 3. EPROM：可光擦除PROM 用户可以多次编程。编程加写脉冲后，某些存储单元的PN结表面形成浮动栅， 阻挡通路，实现信息写入。用紫外线照射可驱散浮动栅，原有信息全部擦除，便可再 次改写。 4. EEPROM：可电擦除PROM 既可全片擦