电子功能材料及元器件（大学课件）梁喜双-1-4 半导体超晶格材料.pptxVIP

1-4 半导体超晶格材料;主要内容;1-4-1 超晶格及其基本性质; 对于半导体而言，负微分电阻一般是指n型的GaAs 和 InP等双能谷半导体中由于电子转移效应（Transferred-electr on effect）而产生的一种效果——电压增大、电流减小所呈现出的电阻。在负阻区，半导体中载流子浓度局部的微小涨落即可引起非平衡多数载流子的大量积累而产生空间电荷，这种现象就是负微分电阻效应。 超晶格材料的超晶格周期，使得它具有一种较小的布里渊区和较窄宽度的子能带，则通过电场就可以把电子从子能带底部（正阻区）加速到能带的顶部（负阻区），则产生微分负电阻。;组分超晶格：超晶格材料的一个重复单元由两种不同材料组成，其电子亲和势、禁带宽度均不相同。在组分超晶格中，由于构成超晶格的材料具有不同的禁带宽度，在异质界面处将发生能带的不连续。;1-4-1 超晶格及其基本性质; 按异质结中两种材料导带和价带的对准情况，江崎把异质结分为三类： Ⅰ型异质结: 窄带材料的禁带完全落在宽带材料的禁带中，ΔEc和ΔEv的符号相反。不论对电子还是空穴，窄带材料都是势阱，宽带材料都是势垒，即电子和空穴被约束在同一材料中。载流子复合发生在窄带材料一侧。 GaAlAs/GaAs和InGaAsP/InP都属于这一种。;1-4-1 超晶格及其基本性质;1-4-1 超晶格及其基本性质;Ⅲ类超晶格：其中