电子功能材料及元器件（大学课件）梁喜双-2-2 晶体中缺陷的平衡.pptxVIP

2-2 晶体中缺陷的平衡;主要内容;处理化合物晶体中点缺陷平衡问题步骤及方法： 1.根据制备或热处理晶体时的工艺条件（如温度、氧分压等）判断可能产生的缺陷，并书写出所产生缺陷的缺陷化学反应式。 2 依缺陷反应式写出相应的质量作用定律表达式。 3 写出相应条件下的电中性方程并进行简化。 4 利用电中性方程和质量作用方程，推出缺陷浓度表达式及氧分压的关系。 5 讨论缺陷浓度与T，PO2关系。;2-2-1 满足化学计量比组成的氧化物晶体中 的缺陷平衡;根据质量作用定律：; 在晶体具有严格的化学计量比组成，且不含杂质的情况下，电中性条件： ;2-2-2 具有非化学计量比组成的氧化物晶体中 的缺陷平衡;一、金属过剩型或氧缺位型氧化物;电子缺陷和原子缺陷的几种极端情况进行讨论：;（2）高温区，此时间隙金属离子全部电离，简化的电中性方程为：;2.原子缺陷 与电子缺陷的讨论一样，随着温度由低到高的变化，也可分为几种特殊情况进行讨论： （1）中性间隙金属原子缺陷占优时：;（2）单电离间隙金属离子缺陷占优时：; 氧空位型氧化物的通式可表示为MO1-y，其缺陷平衡的有关准化学式有：;电子缺陷和原子缺陷的几种极端情况进行讨论：;（2）高温区，此时间隙金属离子全部电离，简化的电中性方程为：;2.原子缺陷 与电子缺陷的讨论一样，随着温度又低到高的变化，也可分为几种特殊情况