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第三章 汽车电力电子变换技术 一、电力电子器件及其发展概况 1948年普通晶体管的发明引起了电子工业革命。半导体器件首先应用于小功率领域， 1958年，从美国通用电气公司研制成功第一个工业用的普通 组、静止的离子变流器进入以电力半导体器件组成的变流器时代，这标志着电力电子技术的 诞生，晶闸管为电力电子学科的建立立下汗马功劳。由于晶闸管不能自关断，属半控型，可 算作第一代电力电子器件。至今晶闸管及其派生器件仍广泛应用于各种变流器，并且还在发 展中。由于包括晶闸管在内的电力电子器件具有体积小、重量轻、功耗小、效率高x响应快 源，所以得到飞速的发展。可以认为电力电子学就是应用在电力技术领域中的电子学，它是 电气工程三大主要领域：电力、电子和控制之间的边缘学科。 本书从工业电气自动化专业的培养目标出发，在对电力电子器件进行必要介绍的基础 30多年来，随着半导体制造技术和变流技术的发展，一代一代的电力电子器件相继问 控制关断的、即自关断的电力电子器件(全控型器件)，因此相继出现了电力晶体管(GTR)、可关断晶闸管(GTO)、电力场效应晶体管(MOSFET）这些可称为第二代电 新型电力电子器件花样繁多，各国正设法扬长避短，构思新的复合器件，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)便是在GTR和MOSFET之间取其长、避其短而出现的新器MOSFET驱动双极型晶体管，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低MCT(MOS Controlled Thyristor)是MOSFET驱动晶 可以说，70年代评价电力电子器件的品质因素的主要标准是大容量，即电流×电压。 80年代，器件发展的主要目标是高频化，所以评价器件品质因素的标准是功率X频率。 90年代，电力电子器件发展的主要目标是高性能化，即大容量，高频率，易驱动，低 用率。为了实现这一高性能化，将出现许多重要的工艺：如平面工艺、大规模集成工艺、多 层金属化、厚膜技术和高能量技术。 目前各类电力电子器件所达到的水平为： 普通晶闸管：12kV、kA、4kV、3kA 可关断晶闸管：9kV、1KA、4．5kV、4．5kA 逆导晶闸管：4．5kV、kA 光触晶闸管：6kV、2．5kA、4kV、5kA 电力晶体管：单管kV、200A；模块1．2kV、800A；18kV、100A 场效应管：kV、38A 绝缘栅极双极型晶体管：1．2kV、400A；18kV、100A 静电感应晶闸管(SITH)：4．5kV、2．5kA 场控晶闸管：kV、OOA 图0．1中示出主要电力电子器件的控制容量和开关频率的应用范围。 图0—1 器件容量与开关频率的关系 在发展器件复合化的同时，还值得提出的是器件的模块化，把许多零散拼装的器件组合 高了可靠性．大大方便了用户。 在模块化和复合化思路的基础上，很自然的发展便是功率集成电路PIC(Power Integrated Circuit)。PIC是电力电子技术与微电子1W以上，功 PIC分两类：高压集成电路(HIC)和(Smart Power IC)。前者是横向(如晶体管、晶闸管)和单极(如场效应晶体管)，也有复合器件，MOS技术 当前PIC的开发和研究主要着重于中小功 和控制。PIC的工作电压目前在50～1200V之间，工作电流在1～100A之间，有用于长途 500V、600mA的HVIC，用于平板荧光显示驱动装置的80V、200kHz的HVIC， 110V、13A和550V、0．5A的智能集成电路。． PIC实现了集成电路功率化、功率器件集成化，使功率和信息集成在一起，形成一个整 得重大发展。PIC的主要技术障碍是高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散 问题。 二、电力电子变流技术 包括晶闸管在内的电力电子器件是电力电子技术的核心，因为任何新器件的出现都会给 型： 整流器——把交流电变为固定的或可调的直流电。 逆变器——把固定直流电变成固定或可调的交流电。 斩波器——把固定的直流电压变成可调的直流电压。 交流调压器——把固定交流电压变成可调的交流电压。 周波变流器——把固定的交流电压和频率变成可调的 晶闸管是静止型的电子元件，又是大功率的开关器件。它一问世即具备完成上述五大类 个电力技术领域。目前它在整流器、有源逆变器、交流调压器和周波变流器中占有明显的优 势。 由于普通晶闸管是只具备控制接通、无自关断能力的半控型器件，因此在直流回路里， 开关频率较低，故对于开关频率要求较高的无源逆变器和斩波器，就无法胜任，应让位给开