化学合成半导体纳米材料并分析.pdfVIP

摘要 本论文发展了在有机溶剂中制备II—VI，III—V半导体纳米线、纳米 棒、纳米晶的新方法。论文主要内容总结如下： 第一。使用单源前驱蛰来制备硫化物纳米材料。饿们采用乙二胺溶剂 的亲核进攻使反应容易进行，降低了反应温度。准这个研究方向，我 Ag，s，MnS纳米晶，其反应温度在O-1200C。r’ 。 ／ ， 第二．将塑氢垡鲤逐压的方法扩展到III—V族纳盎挝牡剑查。鲫氢化 钾还原法已被其他作者用来制备金属单质和II-VI族纳米晶，本论文 首次将该方法扩展到更重要的一类半导体材料：III-V族纳米材料。化 学路线可以简化地写成：lncl 570C)以下进行时，产 经过了金属铟中间体；当反应在金属铟的熔点(1 物为球形纳米晶；当反应在金属铟的熔点以上(1570c)进行时，可以得 到大量棒状产物，对InP和InAs来说都是这样，可能是溶液一液体一固 该反应 路线有如下优点：1)反应温度低2)原料容易得到3)单质砷的毒性在 所有的砷源中是最小的。卜、 膦(TBP)，在100。c下反应24小时即可得到产物。该反应在这么低的 温度下进行可能是TBP起到了化学输运剂的作用。我们对该产物做 了全面的表征，包括XRD，TEM，HRTEM，XPS，UV／vi s和PL。卜。 辛导佑纲术材料， 亿詈台裔 Abstract thesis dealswith This the of mainly preparation in solvent．Theresearchcan nanocrystals resultsbedividedinto organic three parts： were to sulfide precursors First，single-source adapted prepare attackof was to nanocrystals．Nucleophilicethylenediamineemployed the iS thereaction．thusreaction Iowered．Itwas facilitate temperature that couldbe observeddifferent obtainedwithdifferent morphologies severaIsulfide solvents．1nthisdirection RS．PbS，