半导体纳米晶PPV功能薄膜的制备及特性研讨.pdfVIP

摘要 摘要 太阳能因储量大、可再生、无污染、成本低、开发方便等优点受到各界的 广泛关注。太阳能光电材料主要有硅系材料、化合物半导体材料和有机半导体 材料。纳米结构半导体材料具有独特的量子效应，与太阳光有良好的匹配。有 机半导体材料中的共轭聚合物具有质轻、成本低廉，可制备大面积曲面器件等 优势，但是其吸收光谱与太阳光谱不匹配，载流子迁移率低导致光电转换效率 较低。将纳米级半导体材料与共轭聚合物组装，结合聚合物的结构和纳米材料 的特殊性质，制备特殊的异质结，提高光电响应。本论文开创性的将水溶性CdTe 纳米晶分别与CdSe纳米晶及共轭聚合物PPV组装制备CdTe／CdSe功能薄膜和 PPV／CdTe功能薄膜，并进行了一系列有特色的研究，得到了一些创新性的结果。 本论文的研究内容和得到的主要结论如下： (1)用巯基丙酸为稳定剂，在水相中合成了一系列具有核壳结构的CdTe／CdS 半导体纳米晶和CdSe／CdS半导体纳米晶，采用TEM、紫外．可见分光光度计和荧 光光度计对其性质进行了表征。所得到的CdTe／CdS纳米晶和CdSe／CdS纳米晶粒 径分布均匀，直径均约为10nm。 (2)将阳极缓冲聚合物PEDOT：PSS对基片表而分别通过自组装法和旋涂法 进行处理。采用AFM、紫外．可见分光光度计和电化学工作站对其性质进行了表 征。经PEDOT：PSS处理后的基片上制备的CdTe薄膜光电响应相对稳定，有明 显的光电流和光电压响应。 上制备CdTe／CdSe复合薄膜。采用TEM、紫外．可见分光光度计、荧光光度计和 电化学工作站对其性质进行了表征。随着CdSe含量的增加，二者逐渐交联，短 路电流与开路电压有所下降；当CdTc／CdSe的比例为6：1时，交联形成网状结构， 其短路电流与开路电压升高了4．8倍；当CdSe含量继续增加，网状结构得到填 充，使得短路电流与开路电压有所下降。 层层复合薄膜。采用AFM、紫外．可见分光光度计和电化学工作站对其性质进行 了表征。pre—PPV／CdTe薄膜在350nm处有明显紫外吸收峰，随着薄膜层数的增 摘要 加，吸收强度逐渐增加，与层数间存在良好的线性关系；PPV／CdTe薄膜的短路电 流与开路电压比单独的PPV薄膜和CdTe薄膜强，并随着层数的增加而增大，其 开路电压与短路电流强度与层数间存在良好的线性关系。 关键词：半导体纳米晶，CdTe，CdSe，共轭聚合物，PPV，功能薄膜，光电转 化 Ⅱ Abstaet Abstract Solar isakindofinexhaustible cost energy andconvenient greenenergy,low use．Allcirclesa this lotattentionto new materialsof pay energy．The photovoltaic cellareclassifiedintothree silicon groups，includingmaterials，compound semiconductormaterialsand semiconductor organic semiconductorhasa effectanda compound uniquequantum matchtothe good ki