Nb＋掺杂改性CaBiTiO压电陶瓷的研究.docVIP

Nb5＋掺杂改性CaBi4Ti4O15压电陶瓷的研究 第32卷第2期 2011年6月 《陶瓷》 JOURNAL0FCERAMICS Vo1.32.No.2 Jim.2011 文章编号:1000—2278(2011)02—0224-04 Nb掺杂改性CaBi4Ti4O5压电陶瓷的研究 洪燕李月明沈宗洋王竹梅廖润华李润润刘虎 (景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院,江西省先进陶瓷材料重点实验室,江西景德镇333403) 摘要 采用传统固相烧结法,制备了CaBi4Ti(O.(x=0.00—0.05,CBT-N)系铋层状结构无铅压电陶瓷.研究了Nb叫参杂对CBT 压电陶瓷压电与介电性能的影响.研究结果表明:添加Nb离子,改善了CBT陶瓷的烧结特性,提高了瓷体的致密度.NbD的引 入降低了CBT系列陶瓷的介质损耗,改善了陶瓷的压电与介电性能.当掺入量x--O.04(CaBicTi0)时制备的CBT基铋层 状压电陶瓷具有优异的压电性能:d.~=14pC/N,Q~=3086,8,=212,tan8=0.0041,k]kp=1.681. 关键词铋层状;介电性能;压电性能;Cam,T1 申图分类号:TQ174.75文献标识码:A 陶瓷,并研究其介电性能和压电性能的变化规律. 0前言 铋层状结构材料因其具有居里温度高,介质损耗 低,介电击穿强度大,各向异性大,电阻率高等优点, 适合应用于高温,高频无铅压电