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ISD4002系列高保真语音录放IC 英文的资料下载 单片2至4分钟 ...
ISD4002系列高保真语音录放IC---------英文资料《下载》 ●单片2至4分钟语音录放, ?? ?? ?? ?? ●无需开发系统●内置微控制器串行通信接口 ●3V单电源工作●多段信息处理 ●工作电流25-30mA,维持电流1μA ●不耗电信息保存100年(典型值) ●高质量、自然的语音还原技术●100,000次录音周期(典型值) ●自动静噪功能 ●片内免调整时钟,可选用外部时钟4002系列型号与性能对照表:
型 号 时 间 输入采样 典型带宽 最大段数 最小段长 外部钟频 ISD4002-120 2分钟 8.0kHz 3.4kHz 600 200ms 1024.0kHz ISD4002-150 150秒 6.4kHz 2.7kHz 600 250ms 819.2kHz ISD4002-180 3分钟 5.3kHz 2.3kHz 600 300ms 682.7kHz ISD4002-240 4分钟 4.0kHz 1.7kHz 600 400ms 512.0kHz ?? ISD4002系列TSOP及PDIP、SOIC引脚图
??ISD4002系列工作电压3V,单片录放时间2至4分钟,音质好,适用于移动电话及其他便携式电子产品中。芯片采用CMOS技术,内含振荡器、防混淆滤波器、平滑滤波器、音频放大器、自动静噪及高密度多电平闪烁存贮陈列。芯片设计是基于所有操作必须由微控制器控制,操作命令可通过串行通信接口(SPI或Microwire)送入。芯片采用多电平直接模拟量存储技术, 每个采样值直接存贮在片内闪烁存贮器中,因此能够非常真实、自然地再现语音、音乐、音调和效果声,避免了一般固体录音电路因量化和压缩造成的量化噪声和金属声。采样频率可为8.0,6.4,5.3,4.0kHz,频率越低,录放时间越长,而音质有所下降,片内信息存于闪烁存贮器中,可在断电情况下保存100年(典型值),反复录音10万次。缩略图为 :
二、引脚描述??电源:(VCCA,VCCD) 为使噪声最小,芯片的模拟和数字电路使用不同的电源总线,并且分别引到外封装的不同管脚上,模拟和数字电源端最好分别走线,尽可能在靠近供电端处相连,而去耦电容应尽量造近器件。?? 地线:(VSSA,VSSD) 芯片内部的模拟和数字电路也使用不同的地线。
?? 同相模拟输入(ANA IN+) 这是录音信号的同相输入端。输入放大器可用单端或差分驱动。单端驱动时,信号由耦合电容输入,最大幅度为峰峰值32mV,耦合电容和本端的3KΩ电阻输入阻抗决定了芯片频带的低端截止频率。差分驱动时,信号最大幅度为峰峰值16mV。(为ISD33000系列相同)。
?? 反相模拟输入(ANA IN-) 差分驱动时,这是录音信号的反相输入端。信号通过耦合电容输入,最大幅度为峰峰值16mV,本端的标称输入阻抗为56KΩ。单端驱动时,本端通过电容接地。两种方式下,ANA IN+和ANA IN-端的耦合电容值应相同。?? 音频输出(AUD OUT) 提供音频输出,可驱动5KΩ的负载。?? 片选(SS) 此端为低,即选中ISD4002系列。?? 串行输入(MOSI) 此端为串行输入端,主控制器应在串行时钟上升沿之前半个周期将数据放到本端,供ISD输入。?? 串行输出(MISO) ISD的串行输出端。ISD未选中时,本端呈高阻态。?? 串行时钟(SCLK) ISD的时钟输入端,由主控制器产生,用于同步MOSI和MISO的数据传输。数据在SCLK上升沿锁存到ISD,在下降沿移出ISD。
?? 中断(/INT) 本端为漏极开路输出。ISD在任何操作(包括快进)中检测到EOM或OVF时,本端变低并保持。中断状态在下一个SPI周期开始时清除。中断状态也可用RINT指令读取。 OVF标志----指示ISD的录、放操作已到达存储器的未尾。 EOM标志----只在放音中检测到内部的EOM标志时,此状态位才置1。?? 行地址时钟(RAC) 漏极开路输出。每个RAC周期表示ISD存储器的操作进行了一行(ISD4002系列中的存贮器其1200行)。该信号175ms保持高电平,低电平为25ms。快进模式下,RAC的218.75μs是高电平,31.25μs为低电平。该端可用于存储管理技术。
?? 外部时钟(XCLK):本端内部有下拉元件。芯片内部的采样时 钟在出厂前已调校,误差在+1%内。 商业级芯片在整个温度和电压范围内, 频率变化在+2.25%内。工业级芯片在整个温度和电压范围内,频率变化在-6/+4%内,此时建议使用稳压电源。若要求更高精度,可从本端输入外部时钟(如前表所列)。由于内部的防混淆及平滑滤波
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