采用新型cmos的光散射法颗粒测量分析-particle measurement and analysis using novel cmos light scattering method.docxVIP

南京工业大学硕士学位论文摘要粉体颗粒特征粒径和粒径分布的测量技术及其颗粒形状的表征对获得粉体材料的特性是极为 重要的。在众多的颗粒测量技术中，光散射法以其优异的|：!E能得到了极大的重视。文中建立了基 于Fmunho向衍射理论和基于经典Mie散射理论的前向光散射粒度测试系统的数值模拟系统和基 于新型CMOS面元光电检测的实测实验系统，进行了模拟与实验研究。通过计算机模拟，得出Chahine叠代算法是独立模式反演颗粒粒度分布的有效算法。在全量 程范围内采用Mie理论计算时，Chahine叠代算法的误差容差限比较小，这主要是因为光能在光环 检测器上的截断误差决定的。对于采用Mie理沦为基础的激光粒度仪的反演过程，使用构造正则算子0’提高反演精度，通过模拟证实利用正则化的方法可以明显提高Chahine叠代独立模式粒度反演的容差限。 通过模拟研究，对于服从RRB分布的粉体，给出了量程判断因子N×(Rl+I也)，即粉体均匀性指数和超出激光粒度仪测量范围的质量百分数的乘积。浚指数越小．测量的准确性越高。 由于光散射求解粒度分柿属于第一类Fredh01rn方程，模拟研究表明，对于光散射粒度反演这类不适定问题，简单的增加节点即将环细分并不能提高测量精度。 通过模拟和实验研究，提出了一种用于提高测量少量“超大粒子”测量灵敏度的离散化测量思想，以使大颗粒的光j虽1言号不会因为对光环探测器上的光强平均而