专用集成电路设计基础教程(来新泉西电版)第四章数字集成电路设计技术.pptVIP

  • 24
  • 0
  • 约2.73万字
  • 约 198页
  • 2018-06-30 发布于四川
  • 举报

专用集成电路设计基础教程(来新泉西电版)第四章数字集成电路设计技术.ppt

专用集成电路设计基础教程(来新泉西电版)第四章数字集成电路设计技术

   4.1 MOS开关及CMOS传输门   MOS开关及CMOS传输门在CMOS电路中是两种基本的开关或逻辑单元,由这些逻辑单元的组合可以实现基本的开关电路,进而扩展出更多的逻辑功能。 4.1.1 MOS开关   MOSFET是在高密度数字集成电路设计中用来传输和控制逻辑信号的电子器件。缩写词MOSFET的全称是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。MOSFET的工作在许多方面都像一个理想开关。   互补MOS(CMOS)采用两种类型的MOSFET构建逻辑电路。一种称为N沟道MOSFET(或简称为NFET), 它以带负电荷的电子作为电流。NFET的电路符号如图4-1(a)所示。栅极是器件的控制电极。加在栅极上的电压决定了在漏端和源端之间的电流。另一种晶体管称为P沟道MOSFET(或简称PFET),它以正电荷为电流,其电路符号如图4-1(b)所示。像NFET一样,加在PFET栅极上的电压决定了在源端和漏端之间的电流。 图4-1 NFET和PFET的符号   NFET的工作特性如图4-2所示。栅极上的外加电压UDD保证了NFET导通,其作用如同一个闭合的开关。图4-2(a)中,器件左端加上了一个逻辑电平0,电压UX=0 V,正如期望的那样,输出电压UY=0 V。当增加输入电压时

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档