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半導體製造概論薄膜製造工程 組長：陳哲組員：林鴻 陳俊 溫于 邱雅 方昭 Outline 簡介 何謂薄膜沉積介紹 薄膜成長 薄膜沉積技術 台灣相關應用技術 參考資料 MOS製程流程之主要製造步驟 一、簡介 在晶圓製造中，沉積可靠度佳的薄膜材料是關鍵。薄膜是晶圓製造中主要的製造步驟 。 二、薄膜沉積 薄膜是在基板上形成一層厚度極小的固態材料層。若一固態材料為三維空間(厚度、寬度及長度)，則薄膜中的一維(通常是厚度)比其他的二維甚小 。 薄膜一般所需要的特性： 好的階梯覆蓋能力 小的間隙溝渠或凹洞的特徵可用深寬比 表示已，定義其深度對寬度之比值 。 理想的薄膜應有好的厚度均勻性，意味著 在材質上所有覆蓋的薄膜厚度是均勻的。 薄膜的密度對薄膜品質而言，是一種重要 的指標，希望無針洞孔洞產生。而多孔的 薄膜較無孔洞的薄膜，其密度低且折射率 亦較低。 理想的薄膜其組成應是均勻的。理想配 比是指在化合物或分子中，某些成份的 量對其他成份量的比值。 薄膜結構是關鍵的，特別是有關於晶粒大 小。假若薄膜中晶粒大小有變化，將改變 其電性和機構性質，這將影響薄膜的長期 可靠度，特別是電遷移。 基板的薄膜附著性對於防止分裂薄膜及破 裂是很重要的。破裂的絕緣薄膜會導致電 性短路或產生漏電流。 三、薄膜成長 沉積薄膜之成長有三個階段 第一階段是成核 第二階段是塊狀的核團晶粒聚結 第三階段是連續薄膜 【圖五】◎薄膜成長階段 四、薄膜沉積技術 薄膜的材料起源於外來源，這可能是氣體源，可經由化學反應而沉積，或一固體靶源藉由材料物理性將靶質移除。 基板上有很多不同的薄膜沉積技術，可區分化學性和物理性的製程 。 介紹薄膜主要兩個製程： 4-1物理氣相沉積（物理蒸鍍）（PVD） 4-2化學氣相沈積（化學蒸鍍）（CVD） 4-1、物理氣相沉積（PVD） PVD顧名思義是以物理機制來進行薄膜湚積而不涉及化學反應的製程技術，所謂物理機制是物質的相變化現象 ，如蒸鍍(Evaporation)，蒸鍍源由固態轉化為氣態，濺鍍（Sputtering），蒸鍍源則由氣態轉化為電漿態 4-1-1、蒸鍍(Evaporation)原理： 4-1-2、濺鍍(Sputter)的原理： 在兩個相對應的金屬電極板上施以電 壓，假如電極板間的氣體分子濃度在某 一特定的區間，電極板表面因離子轟擊 所產生的二次電子，在電極板所提供的 電場下，將獲得足夠的能量而與電極板 間的氣體分子因撞擊而進行所謂的解 離，離子化，及激發等反應，而產生離 子、原子、原子團，及更多的電子，以 維持電漿內各粒子間的濃度平衡。 4-1-3、離子化金屬電漿 (IMP )： IMP技術，應用了較一般金屬測鍍高上10-100倍的電漿密度。 與傳統濺鍍相比，IMP有較低及更均勻分佈的電阻值 可直接減少金屬沈積的成本 沈積時間亦得以縮短 因IMP的眾多優點，它已被眾多半導體公司寄予厚望 【表三】◎三種物理氣相沈積法之比較 4-1-4、未來PVD的發展趨勢 將PVD與CVD整合在同一系統上。 發展低溫PVD製程，以保證低介電常數之介電化合物。 當線寬0.18μm以下的世代來臨時，銅製程是否能成功地取代鋁製程以及反擴散層Ta/TaN/Wn技術是否成熟？ 4-2、化學氣相沈積（CVD） CVD是將反應源以氣體形式通入反應腔 中，經由氧化，還原或與基板反應之方式 進行化學反應，其生成物藉內擴散作用而 沈積基板表面上。 4-2-1、CVD原理 在半導體製程上，CVD反應的環境，包括：溫度、壓力、氣體的供給方式、流量、氣體混合比及反應器裝置 分為氣體傳輸、熱能傳遞及反應進行 4-2-2、CVD反應機制 有五個步驟 主氣流 邊界層 吸附 遷徙 吸解 【圖六】◎CVD反應步驟圖 4-2-3、CVD的種類與比較 在積體電路製程中，經常使用的CVD技術有 大氣壓化學氣相沈積(APCVD)系統 低壓化學氣相沈積(LPCVD)系統 電漿輔助化學氣相沈積(PECVD)系統 4-2-4、電漿輔助化學氣相沈積系統 PECVD的沈積原理與一般的CVD之間並沒有太大的差異 電漿中的反應物是化學活性較高的離子或自由基，且基板表面受到離子的撞擊也會使得化學活性提高 【圖七】PECVD構造圖 五、台灣相關應用技術 太陽能電池產業 2007/9/18 茂迪表示：薄膜