有涉及其结深问题.docVIP

本周工作：一、仿真基础知识的学习学习工艺仿真软件ATHENA，并以Design Rule中的PA 18V 非对称LDPMOS为结构原型，尝试编写了该器件的工艺仿真文件。一、知识学习ESD防护器件设计窗口的几个需要关注的设计参数触发电压(Vt1)、维持电压(Vh)、二次击穿电流(It2)。如果防护器件在输入端口，则防护器件的触发电压Vtl必须小于内部MOS管的栅氧击穿电压，否则内部MOS管就会在防护器件开启之前而被打坏，防护器件就其不到防护作用；如果在输出端口，则防护器件的触发电压Vtl必须小于输出管的漏/衬底反向击穿电压，否则ESD电流会先从输出管流过，防护器件失效(当然，输出管本身具有一定的ESD防护能力，如果输出管本身能承受很大电流，可以不用加防护器件)。同时，不论防护器件加在什么端口上，触发电压Vtl必须要大于该端口的最大工作电压，否则ESD防护器件会误触发(在芯片正常工作时，ESD防护器件开启)。当防护器件加在电源和地之间时，除了触发电压需要高于电源电压，低于栅氧击穿电压之外，维持电压也必须高于电源电压，否则会在芯片正常工作时引起栓锁(I/O口上一般能提供的电流很小，不易引起栓锁，一般没有要求维持电压必须高于电源电压)。二次击穿电流It2是一个表征防护器件本身鲁棒性的参量，It2越高表示防护器件本身抗ESD能力越强，It2和HBM模式的耐压大体上可以按照公式HBM=It2*1500Ω折算2、TCAD仿真的用处首先，工艺和器件TCAD仿真工具代替了手工解半导体器件物理方程，使得通过迭代运算得出ESD防护器件的性能参数成为可能；其次，在设计阶段，我们在研究器件相关尺寸对器件性能参数的影响时，TCAD仿真工具能为我们指明方向；再则，在器件失效时，我们可以通过ESD器件仿真，找出ESD现象的各个阶段器件内部的电场分布、电流密度及流向、温度分布及其他相关物理参量的变化，分析ESD器件在防护过程中的工作机理及失效原因。3、TCAD模拟形成一个器件结构的两种方式一种是通过工艺仿真，以虚拟制造的方式生成器件结构；一种是通过具体的语言描述或手动绘制工具定义材料、掺杂分布、结深、几何尺寸等信息形成一个理想的器件结构。得到器件结构以后，通过网格优化等步骤可以导入器件模拟工具仿真器件的电热参数，得到的电热参数可以导入软件相配套的视图工具查看。4、现在应用最广的二维仿真软件是TUSPREM4/MEDICI、SILVACO的ATHENA/ATLAS，以及ISE的DIOS/MDRAW/DESSIS三套工具。5、Silvaco TCAD仿真流程（1）工艺仿真输入文件：命令文件(Athena的*.in文件)、掩膜版文件 (*.tll文件)。命令文件包括网格的定义、工艺模拟的过程描述以及每一工艺步骤物理模型的选择，对掩膜版文件各个层次的调用，以及输入输出的定义等；掩膜版文件用于定义器件结构的几何尺寸，该文件可以不用，但是如果不用，就需要在命令文件中定义各个工艺步骤掩膜版的几何尺寸，这些几何尺寸随着器件结构的不同而不同，这样命令文件就不能对同一工艺下的所有器件结构通用了。输出文件：工艺仿真完毕能够生成包含器件内部网格分布和掺杂信息的文件， ATHENA仿真完毕将这两种信息存储在*.Str文件中。（2）器件仿真输入文件：ATLAS的命令文件（*.in）。器件仿真模拟器需要调用工艺仿真产生的或者语言描述、手动绘制生成的结构掺杂信息以及网格信息。输出文件：*.log文件和*.str文件。*.log包含的是时间、电压、电流、电容、频率等电学参数信息，通过TONYPLOT工具可以绘制出这些电学参数信息之间的关系曲线。工艺仿真生成的*.str文件只包含结构的掺杂和网格信息，而经过器件仿真之后又多了电场、电流密度、晶格温度、雪崩离化率等电热参数在器件结构中的二维分布信息，*.str中的所有参数信息可以通过TONYPLOT工具生成二维可视分布图。6、ATHENA工艺仿真流程及主要命令（流程、每项工艺需要的参数，ESD仿真特别需要的参数？仿真输出用以衡量ESD性能的参数有哪些？）建立仿真网格 line relax仿真初始化 initial工艺步骤（淀积、光刻、氧化、刻蚀、扩散等）deposit、etch、oxide、diffusion、electrode抽取特性（抽取结深、材料厚度、浓度分布等） extract结构操作（导入结构，对结构旋转，做镜像和保存等）structureTonyplot。二、编写工艺仿真文件1、器件结构 PA 18V ASY. LDPMOS13.218.213.218.27.37.3该器件结构中存在的问题：（1）红色部分尺寸未知。在后续的程序编写中假设该尺寸为3。（2）图虽然表明了尺寸，但未按比例画。2、设置网格# 设置网格，根据截面图的尺