CMOS集成电路的抗辐射分析及设计(已处理).docVIP

CMOS集成电路的抗辐射分析及设计 I 西安理工大学硕士学位论文 构的改进 使得商业 集成电路具有较强的抗辐射能力 能够应用 于太空辐射环境 太空辐射环境的影响因素很多 这是一个专门的领域 系统设计者 应该充分考虑 表列出了不同空间轨道的辐射剂量参数 表 不同空间轨道的辐射总剂量参数 轨道 远地点 近地点 地球同步卫星轨道 全球定位卫星轨道 低地轨道 — 气象保护卫星轨道 空间辐射来自宇宙射线 太阳耀斑以及围绕地球的内 外范 艾伦 辐射带 此外还有太阳风 极光辐射 太阳 射线以及频谱范围较宽的 电磁辐射 它主要由高能质子 高能电子 射线 中子 射线等组 成 辐射作用于电子设备 可对其性能产生不同程度的影响 甚至使其 失效 其中电子设备的基本组成 半导体和微电子学器件是辐射最敏 感也是最薄弱的环节 因此开展电子器件抗辐射加固技术的研究 努力 提高电子器件在空间辐射环境下的生存能力和可靠性 确保电子设备在 空间辐射环境下正常工作 对于空间技术的发展具有重要的意义 空间辐射环境主要以三种方式影响 集成电路 第一种方式 是总剂量效应 当电子电路暴露于动荡的电离辐射环境中 随着 时间的积累而改变器件的特性 这是一种永久性的效应 还有两种影响 21 前言 方式是瞬态的现象 即单粒子翻转效应 和单粒子闩锁效应 对于太空应用的抗辐射电子器件 传统的方法都是从特殊的抗辐射 工艺线上获得 在过去 辐射加固工艺线已经为许多太空系统提供了 抗辐射加固器件 毫无疑问 半导体微电子技术正是由于军用和太空应 用的推动而发展起来的 在二十世纪六十年代 美国的国防电子产品占 整个电子工业的 但是 随着商业工艺技术的快速发展 现在美 国整个电子工业产品总值达 亿美元 而国防电子产品仅占 在现代化大生产中 产品的需求决定着成本的高低 然而 失去市 场推动力的这种特殊的加固工艺线的生产流程却更复杂 成品率更低 导致成本居高不下 产品的更新换代速度很慢 所以它为太空系统提供 的产品的电学性能大大落后于同一时代的商业产品 因此 采用工艺加 固的抗辐射电子器件处于研制成本高而性能落后的困境 值得庆幸的是 随着工艺的发展 商业器件的耐辐射能力逐渐提高 使得我们有可能对专用集成电路 从设计方法上进行抗辐射加固 这成为又一条获得高性能抗辐射电子产品的途径 本文研究了技术发 展到当前状况下的 集成电路的抗辐射加固设计技术 采用抗辐射 设计加固技术的主要目的就是要在标准的 商业工艺上 不需要增 加额外的掩模版和附加的工艺而制作出具有一定耐辐射能力的电路 同 时 采用这种方法 我们可以获得技术上的其他一些优势 比如速度 降低功耗 高的集成度 高的批量生产 导致低的成本 以及高的产量 等 年 美国国防部签署了一份报告 提出为了降低航天应用产品 的成本 而将商业产品引进到航空领域 标志着美国对抗辐射设计加固 技术的系统研究的开始 经过多年的发展 国外对辐射效应 辐射机理以及抗辐射的加固设计都进行了比较充分的研究 一个方面是 为了避免单粒子翻转效应而提出了锁存器的冗余锁存结构 将数据锁存 在两个以上不同的地方 采取适当反馈的形式 在单粒子事件之后 将 3 西安理工大学硕士学位论文 被破坏的数据恢复过来 达到加固目的 另一个方面是为了增强 抗总剂量辐射能力和减轻单粒子闩锁效应的影响 采取了环型栅和保护 环结构达到加固目的 由于 集成电路固有的闩锁效应 人 们对此的研究比较深入 只是在辐射环境中的触发机理不同 由单粒子 触发 其他的机理完全相同 因此 器件的一切抗闩锁加固 措施都适用于抗单粒子闩锁效应 而我国由于微电子技术尤其是在工艺技术方面相对落后 对于抗辐射设计加固技术的研究起步较晚 相关文献发表不多 当然有可 能是出于保密的原因 公开的文献都仅仅是对辐射相关原理的概述 对 抗辐射的加固设计介绍得很少 且主要是有关工艺方面的内容 或 者是工艺和设计相结合的内容 本文便是尝试用抗辐射设计加固的 方法 采用华晶上华半导体有限公司 的的标准的商业 工艺对芯片进行抗辐射设计加固 以评估这条商业工艺线生产的 电路的抗辐射水平 在研究中 我们将降低辐射效应的设计方法应用到 门阵列设计中 采用了双环保护结构 大大降低了 集成电路对单 粒子闩锁效应的敏感性 对 管采用环型栅结构代替传统的双边器 件结构 消除了辐射感生边缘寄生晶体管漏电效应 另外 采用了附加 晶体管的冗余锁存结构 减轻了单粒子翻转效应的影响 由于抗辐射的设计技术也基于先进的工艺生产线 而国际上的微电 子技术发展很快 工艺水平比国内的先进很多 所以他们的研究起步比 国内早得多 而且根据各国自己的发展水平 大多面向国际上最先进的 工艺厂家 比如台湾的 公司 公司以及新加坡的 公 司等 这些厂家成熟的工艺线达到