FET的电路比BJT少一颗电阻-昆山电子历程-昆山科技大学.PPTVIP

Chapter 7單載子場效電晶體(FET) 四技一年級下學期 授課教師：任才俊 MOSFET物理結構 N-channel MOSFET的物理結構，乍看之下與NPN型BJT很相似，但兩者有所不同： N-channel MOSFET 物理結構 MOSFET與BJT在結構上大同小異，而它們真正的不同點在於設計觀念上： FET徹底揚棄以PN界面控制電流的想法，改以電場控制半導體內自由電子(或電洞)的流動，同樣達到控制電流的結果。(這是場效電晶體名稱的由來。) N-channel MOSFET 物理結構 在SiO2絕緣層加上正電壓(VG) ，當VG足夠大時，聚集在SiO2絕緣層下方的自由電子濃度將高於電洞濃度，形成一長條位於P型半導體內的帶狀N型半導體。由於它的形狀類似一條隧道，所以稱為N型通道(N-channel)。  N-channel MOSFET 物理結構 因VG吸引而產生的N型通道，剛好將原來分離的兩塊N型半導體連在一起，成為三塊彼此相連的N型半導體。等效上相當於一顆電阻(R)： 由於S極和D極的摻雜濃度很高，並且它們的截面積遠比由感應產生的N型通道寬，因此在一般情況下： 在D極和S極間外加正電壓(VDS 0)，可以預期會有電流(ID)由D極流向S極，其大小為： 由於Rch是由VG感應而生，因此藉VG改變Rch便可以控制ID，所以FET是一顆名符其實的電壓控制電流元件。 因為輸入端(G極)為絕緣層，故IG = 0，使得流入D極的電流必定等於流出S極的電流，所以FET只需考慮一個電流(ID)，是FET比BJT簡單好用的主因。 Enhancement-type (加強型)N-channel MOSFET 在P型的基體(Substrate)上，利用Doping 產生兩個n型區域 接著在兩個N型區域之間鍍上SiO2絕緣層，最後再連上金屬導線。它之所以稱為N-channel MOSFET是因為由感應所產生的是N型通道 MOSFET包括作為連線的金屬(Metal)，絕緣層的二氧化矽(Oxide)以及作為主體的半導體(Semiconductor)，三者組合成為以電場控制電流的電晶體(FET)。 三個端點分別稱為閘極(Gate)、源極(Source)和汲極(Drain)。G極作用好似閘門，用來控制通道；S極為帶電載子(自由電子)的源頭，而D極表示帶電載子流入的端點。 為防止PN界面處於導通狀態，所以P型substrate必須接電路的最低電位，就能專注在S、D、G三個端點上，而忽略substrate。 右圖是n-channel MOSFET的電路符號。實際上D極和S極結構完全相同，區分的方式是載子流出者為S極，而流入者為D極。由於n-channel FET的載子是電子，而電子從低電位流到高電位，所以接高電位的是D極，接低電位的是S極。 截止模式(Cutoff mode) VGS Vt, Vt 0 當VGS很小時無法產生通道，此時channel處於關閉(OFF)狀態。當VGS 大於臨界電壓(threshold voltage)Vt，channel才由關閉狀態進入導通(ON) 。 當VGSVt，ID =0 三極模式(Triode mode) VGS Vt ，VDS VGS ? Vt channel導通，等效上像一顆電阻，其阻值與VGS有關，然而真正決定Rch的是VGS ? Vt 而非VGS。 ID隨(VGS ? Vt )及VDS上升而增加。 ID與VDS及Vt的關係如下： k與自由電子的移動率(mobility) μn及channel的實際結構有關： 飽和模式(Saturation mode) VGS Vt ，VDS ? VGS ? Vt pinch-off 發生，ID不再隨VDS上升而增加。ID只和(VGS ? Vt )有關而和VDS無關。 將VDS = VGS ? Vt 代入便得到saturation mode的電流： n型半導體 Depletion-type (空乏型) N-channel MOSFET Depletion-type與 Enhancement-type N-channel MOSFET的結構完全相同，只是在製作時事先在P型substrate中植入自由電子形成一個n-channel，使得在VGS = 0V時channel已經呈導通狀態。 Depletion-type等效上是將enhancement-type n-channel MOSFET的Vt　由正電壓改變成負電壓，其他所有特性皆相同。 Juction-FET 另一種FET利用PN-junction 在反向偏壓