6第六篇 化学气相淀积.pptVIP

PECVD系统 PECVD 系统（电容耦合） 6.3 CVD多晶硅 6.3.1 多晶硅薄膜的特性 1. 结构特性 ①由无数生长方向各不相同的小晶粒(100nm量级）组成；主要生长方向（优选方向）－－110。 ②晶粒间界具有高密度缺陷和悬挂键。 2. 物理特性：扩散系数明显高于单晶硅； 3. 电学特性 ①电阻率远高于单晶硅；WHY? ②晶粒尺寸大的薄膜电阻率小。 6.3.2 CVD多晶硅 工艺：LPCVD； 气体源：气态SiH4； 淀积过程： ①吸附：SiH4（g)→ SiH4（吸附) ②热分解： SiH4（吸附) = SiH2（吸附)+H2(g) SiH2（吸附) = Si（吸附)+H2（g) ③淀积： Si（吸附)= Si（固) ④脱吸、逸出： SiH2、H2脱离表面，逸出反应室。 总反应式： SiH4（吸附) = Si（固体)+2H2(g) 6.3 CVD多晶硅 特点： ①与Si及SiO2的接触性能更好； ②台阶覆盖性好。 缺点： SiH4易气相分解。 用途：欧姆接触、栅极、互连线等材料。 多晶硅掺杂 ①扩散：电阻率低；温度高； ②离子注入:电阻率是扩散的10倍； ③原位掺杂：淀积过程（模型）复杂； 实际应用 6.3 CVD多晶硅 6.4 CVD二氧化硅 6.4.1 CVD SiO2的方法 1. 低温CVD ①气态硅烷源 硅烷和氧气： APCVD、LPCVD、PECVD 淀积机理: SiH4+O2 ~400℃ SiO2 + H2 硅烷和N2O（NO） ：PECVD 淀积机理: SiH4+N2O 200-400℃ SiO2 + N2 + H2O 原位掺P：形成PSG 淀积机理: PH3(g)+5O2=2P2O5(固)+6H2 优点：温度低；反应机理简单。 缺点：台阶覆盖差。 6.4 CVD二氧化硅 ②液态TEOS源：PECVD 淀积机理： Si(OC2H5)4+O2 250-425℃ SiO2+H2O+CXHY 优点：安全、方便；厚度均匀；台阶覆盖好。 缺点: SiO2膜质量较热生长法差； SiO2膜含C、有机原子团。 2. 中温LPCVD SiO2 温度：680-730℃ 化学反应：Si(OC2H5)4 → SiO2+2H2O+4C2H4 优点：较好的保形覆盖。 6.4 CVD二氧化硅 6.4.2 台阶覆盖 保形覆盖：所有图形上淀积 的薄膜厚度相同，也称共性 （conformal）覆盖。 覆盖模型： ①淀积速率正比于气体分子到达 表面的角度； ②特殊位置的淀积机理： a)直接入射b)再发射c)表面迁移 6.4 CVD二氧化硅 保形覆盖的关键： ①表面迁移：与气体分子黏滞系数成反比； ②再发射 6.4 CVD二氧化硅 6.4.3 CVD掺杂SiO2 1. PSG 工艺：原位掺杂PH3； 组分：P2O5 和 SiO2； 磷硅玻璃回流（ P-glass flow ）工艺：PSG受热变软易流动，可提供一平滑的表面；也称高温平坦化（1000-1100℃） 2. BPSG 工艺：原位掺杂PH3 、B2H6； 组分：B2O3-P2O5-SiO2； 回流温度：850 ℃； PSG回流 6.5 CVD Si3N4 Si3N4薄膜的用途： ①最终钝化膜和机械保护膜：淀积温度低；能有效阻挡水、钠 离子及B、P、As、等各种杂质的扩散；有很强的抗划伤能力； ②选择性氧化的掩蔽膜：Si3N4很难氧化； ③MOSFETs中的侧墙：LDD （轻掺杂源漏）结构的侧墙； 自对准硅化物的钝化层侧墙； ④浅槽隔离的CMP停止层。 6.5 CVD Si3N4 Si3N4薄膜的特性： ①扩散掩蔽能力强，尤其对钠、水汽、氧； ②对底层金属可保形覆盖； 钝化层 ③针孔少； ④介电常数较大：(εSi3N4=6-9,εSiO2=4.2) 不能作层间的绝缘层。 淀积方法：根据用途选择； ①DRAM的电容介质：LPCVD； ②最终钝化膜：PECVD（200-400℃） 6.5 CVD Si3N4 CVD Si3N4薄膜工艺 1. LPCVD ①反应剂： SiH2Cl2 + NH3 → Si3N4+H2+HCl ②温度：700-900 ℃； ③速率：与总压力（或pSiH2Cl2)成正比； ④特点：密度高；不易被稀HF腐蚀； 化