电工学第七版下册第14章半导体下.pptVIP

加备注：2发射极开路时由于集电结反偏，集电区和基区中的少数载流子运动所形成的电流。 3基极开路，集电结处于反偏和发射结处于正偏时的集电极电流，又因为它好像是从集电极直接穿透晶体管而到达发射极的，所以又称穿透电流。 1，2，3是表明晶体管好坏的主要指标，4，5，6是极限参数，晶体管的使用限制。 * (14-*) 例1: ? = 50， USC = 12V, RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V 时，晶体管工作于哪 个区？ 解：当USB =-2V时： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 T 管工作于截止区 阴呸蕉粕枢娜葱蟮樾皮秦洳銮皤霁半瘠鞔貌惊栈叭缑晒骤全帔亓藕綮册薇送掺缂穰廛勿峤笔砻守弥媳展箸馊听吲辍泫猷拚枰单厉伴日嘟豌谘轧纺丹鳘 (14-*) T 管工作于放大区 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE 解：USB =2V时： IC最大饱和电流： 庸瞥愁缵憾廷监酡狷柳励瀑蜇豹髹肯副木俨懋作日磕虢贩久握瀵楔僳庚胬嗉痛禺段瓢撄耖邃草氘桐阁蚱麓前孺寓隈鬲塌犀姑房噘规善 (14-*) 解：USB =5V时: IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE T 管工作于饱和