ASIC复习总结提纲.docVIP

PAGE PAGE 9考试复习提纲深亚微米器件理解MOS基本特性（VT组成、沟道长度调制效应）；；理解深亚微米MOS的非理想特性（亚阈值电流、速度饱和响应）；MOS动态特性——理解MOS在各种情况下的电容；互连互连在等比例缩小规则下变化情况；互连Elmore延时计算；Cross talk及其对策；IR Drop效应；CMOS倒相器Size对倒相器性能、功耗和抗噪声能力的影响；Inverter Chain理解组合电路延时的计算方法；理解功耗的三个来源；组合电路静态 vs 动态电路、 Ratioless vs Ratioed逻辑；掌握组合电路的各种实现形式及其优缺点；Dynamic电路、Pass-trasisotr电路等；时序电路组合电路 vs 时序电路；Master－Slave Register的基本形式；动态CMOS Register的优缺点；Latch vs Register；Register-based 电路时序分析，理解Jitter和skew对电路性能的影响；Schmitt触发器；设计方法标准单元设计流程；MOPS/Energy；初步理解软硬件划分的方法；算术单元了解加法器的类型及其优缺点；理解加法器设计的关键所在；简单了解桶型移位器和乘法器；数字电路（去年考题）1、 深亚微米数字IC设计面临的挑战 Chap.1引论2、 深亚微米MOS的非理想特性（亚阈值电流、速度饱和