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浅谈三氯氢硅合成中除尘工艺优化措施 　　摘要：本文主要介绍了三氯氢硅合成工艺、三氯氢硅除尘的原理，三氯氢硅合成实际运行过程中的除尘情况及原因分析；提出改进三氯氢硅合成工艺中除尘效果的一些意见和措施。 　　关键词：多晶硅 三氯氢硅合成 硅粉 除尘 优化 　　在多晶硅生产中，三氯氢硅合成是整个工艺的源头，为多晶硅生产提供原料。三氯氢硅合成通常采用硅粉和氯化氢在流化床反应器内进行反应，反应产物为氯硅烷气体、氢气、氯化氢、硅粉的混合物，需进行气固分离。通常采用旋风分离、湿法除尘将硅粉除去，如果除尘效果不佳，则会造成后序系统堵塞，影响整个工艺的连续稳定运行，甚至会对停车检修带来很大的困难，在反复拆装设备的过程中也缩短了设备的使用寿命。因此，解决好三氯氢硅合成工艺中的除尘问题不仅是系统稳定运行的前提，也是提升设备管理效果的有力保障。在三氯氢硅合成工艺中，除尘一般有旋风、布袋、湿法除尘三种工艺，本文主要讲述三氯氢硅合成中旋风除尘与湿法除尘相结合的工艺运行情况、存在问题及一些优化措施。 　　一、三氯氢硅合成工艺介绍 　　三氯氢硅合成一般采用硅粉和氯化氢在流化床反应器中进行反应，反应温度一般控制在280-320℃，生成氯硅烷混合物，还包含少量金属氯化物、氯化氢、氢气、硅粉等。其反应式为： 　　反应之前用氮气将一定粒径的硅粉带进流化床反应器进行流化、加热升温，达到反应温度后将氮气切换为氯化氢。反应开