半导体物理学 七版 刘恩科编著chap5.pptVIP

第五章 非平衡载流子 Carrier concentrations in unequilibrium 刘丹 热平衡状态（thermal balance） ： 复合释放能量的方法 发射光子 发射声子 将能量给予其他载流子（俄歇复合） 非平衡载流子寿命 寿命不仅与平衡载流子浓度有关，还与非平衡载流子浓度有关。 小注入条件下 对于n型材料 ，若 若 根据直接复合理论，硅、锗非平衡载流子寿命的计算结果与测量结果差距较大。 一般而言，禁带宽度越小，直接复合的概率越大。 5.7载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式 外加电场 n型均匀掺杂半导体，沿x方向加一均匀电场，同时在表面处光注入非平衡载流子。则少子空穴的电流密度： 少子空穴电流密度 电子电流密度 考虑热平衡状态的非均匀的n型半导体，施主杂质浓度随x的增加而下降。 扩散电流 体内自建电场产生漂移电流 平衡时总电流、电子电流和空穴电流均等于0 可得 半导体内的电场分布 在非简并情况下，电子的浓度 求导得 代入可得爱因斯坦关系式 同理可得 §5 连续性方程 (1)??? 连续性方程 (2) 连续性方程的应用 ★ 连续性方程的一般形式 连续性方程—漂移运动和扩散运动同时存在时,少子所遵守的运动方程. 讨论少子浓度的变化: ? 扩散引起少子浓度变化; ? 非平衡子复合引起少子浓度变化； ?当存在电场,漂移引起少子浓度变化; ? 外界因素产生非平衡子. 单位体积中 少子载流子随时间的变化率: 此即连续性方程. 是研究半导体器件原理的基本方程之一. ★ 连续性方程的应用 ①非平衡子的复合: t=0时,光照停止; gp=0; 不考虑载流子的空间分布 (? =0). 此即非平衡载流子衰减时遵守的微分方程 ② 稳态扩散: (稳态下, 扩散+复合) 表面(或样品的某一位置)维持恒定光照; 稳态; ? =0; gp=0 + 均匀半导体 稳态扩散方程: ③稳态扩散+漂移: 稳态连续性方程 稳态扩散+均匀电场,均匀半导体 扩散长度—仅考虑扩散, 非平衡子深入样品的平均距离. 牵引长度—仅考虑漂移, 非平衡子在τ时间内所通过的距离. ④注入少子脉冲 ?考虑扩散: ? =0; gp=0 ?扩散+漂移: gp=0; +均匀电场 ⑤ 稳态下的表面复合: ? =0; 稳态; 体内产生,表面复合. 例2、样品厚度为W。 The Diffusion Motion of Carriers The Diffusion Motion of Carriers ⊿p（x） （⊿p）0 The Diffusion Motion of Carriers 3、电子的扩散定律与稳态扩散方程 The Diffusion Motion of Carriers 4、扩散电流密度 The Diffusion Motion of Carriers 考虑三维情况，假定载流子各个方向的扩散系数相同 扩散流密度的散度的负值就是单位体积空穴的积累率 The Diffusion Motion of Carriers 稳定情况下等于单位时间在单位体积内由于复合消失的空穴数（稳态扩散方程） 空穴的电流扩散密度 同理电子的电流扩散密度 The Diffusion Motion of Carriers 连续性方程：在半导体材料中同时存在载流子的漂移、扩散、复合和产生时，描述这些作用的总体效应的基本方程。 连续性方程基于粒子数守恒，即单位体积内电子增加的速率等于净流入的速率和净产生率之和。 所以，过剩载流子的寿命 即 Ud≈r（ n0+ p 0 ）+r（ ⊿p ）2 （3） Theory of Recombination 通过杂质或缺陷能级Et而进行的复合 （1）俘获与发射： Nt ：复合中心的浓度 nt：复合中心能级Et上的电子浓度 Nt- nt ：未被电子占据的复合中心的浓度 5.4.2 间接复合 Theory of Recombination 电子俘获 电子发射 空穴俘获 空穴发射 电子俘获率： 电子产生率： 空穴俘获率： 空穴发射率： Rn=rnn（Nt-nt） Gn=s-nt Rp=rppnt Gp=s+（ Nt-nt ） rn:电子俘获率 s- ：电子发射系数 rp：