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奈米半導體的製備 石豫臺 國立彰化師範大學 物理系暨光電科技研究所 奈米半導體的製備 積體電路 半導體技術的演進目標 製程技術的挑戰 奈米材料製備方法的分類 微影術 真空蒸鍍法 濺射鍍膜法 分子束磊晶法 金屬有機化學氣相沈積法 晶圓(wafer) 指矽半導中積體電路所用之矽晶片，因形狀為圓形，故稱為晶圓。 在矽晶片上可加工製作各種電路元件結構，而成為有特定功能的積體電路(IC)。 晶圓按其直徑分為4、5、6、8、12吋甚至更大規格。晶圓越大,同一晶片上可生產的IC就越多,可降低成本； 但要求材料技術和生產技術更高 。 晶圓的製造 純化： 以矽石(silica)或矽酸鹽(silicate)為原料，經由電弧爐提煉、鹽酸氯化，並蒸餾後，得高純度多晶矽。 長晶： 將多晶矽融解，摻入一小粒晶種，慢慢拉出，形成圓柱狀單晶矽棒。若希望成為摻雜半導體，則可在拉晶程序前摻入一定比例的雜質。 整修： 將晶柱進行切割、清洗、吹乾、拋光以製成晶圓。 磊晶 在製造互補式金氧半導體(CMOS)元件時，需要一層沈積的磊晶矽。 柴可歐斯基(Czochralski)長晶法 晶柱 積體電路(Integrated circuit, IC) 就是將電晶體、二極體、電阻、電容等電子元件，用微電子的技術將其做在一片長寬約半公分以內的晶片上。 特點：體積小、功能多、可靠性高、價錢便宜。 半導體最大的應用是積體電路。舉凡電腦、手