第五篇 载流子输运现象.pptVIP

第5章 载流子输运现象 5.1载流子的漂移运动　漂移电流密度 5.1载流子的漂移运动　 5.1.4饱和速度 载流子的运动速度不再随电场增加而增加 * 如何解释？ 5.1载流子的漂移运动　饱和速度 低能谷中的电子有效质量mn*=0.067m0。有效质量越小，迁移率就越大。随着电场强度的增加，低能谷电子能量也相应增加，并可能被散射到高能谷中，有效质量变为0.55m0。高能谷中，有效质量变大，迁移率变小。这种多能谷间的散射机构导致电子的平均漂移速度随电场增加而减小，从而出现负微分迁移率特性。 * 5.2载流子的扩散运动 载流子的扩散运动 扩散是因为无规则热运动而引起的粒子从浓度高处向浓度低处的有规则的输运，扩散运动起源于粒子浓度分布的不均匀。 均匀掺杂的n型半导体中，因为不存在浓度梯度，也就不产生扩散运动，其载流子分布也是均匀的。 如果以适当波长的光照射该样品的一侧，同时假定在照射面的薄层内光被全部吸收，那么在表面薄层内就产生了非平衡载流子，而内部没有光注入，这样由于表面和体内存在了浓度梯度，从而引起非平衡载流子由表面向内部扩散。 * 5.2载流子的扩散运动 5.2.1扩散电流密度 电子扩散电流密度： Dn称为电子扩散系数，单位为cm2/s 其值为正。 空穴扩散电流密度： Dp称为空穴扩散系数，单位为cm2/s 其值为正。 * 扩散流密度：单位时间垂直通过单位面积上的粒子数。 5.2载流子的扩散运动 5.2.2总电流密度 总电流密度 半导体中所产生的电流种类： 电子漂移电流、空穴漂移电流 电子扩散电流、空穴扩散电流 总电流密度： 迁移率描述了半导体中载流子在电场力作用下的运动情况； 扩散系数描述了半导体中载流子在浓度梯度作用下的运动情况。 这两个参数之间是相互独立还是具有一定的相关性？ * 5.3杂质梯度分布　 5.3.1感生电场 电势Φ等于电子势能除以电子电量： 一维情况下的感生电场定义为： 假设满足准中性条件，电子浓度与施主杂质浓度基本相等，则有： * 5.3杂质的浓度梯度　 5.3.2爱因斯坦关系 考虑非均匀掺杂半导体，假设没有外加电场，半导体处于热平衡状态，则电子电流和空穴电流分别等于零。可写为： 设半导体满足准中性条件，即n≈Nd(x)，则有： 将式5.40代入上式： 爱因斯坦关系 * 5.3杂质的浓度梯度 典型迁移率及扩散系数 * 注意： （1）迁移率和扩散系数均是温度的函数； （2）室温下，扩散系为迁移率的1/40。 5.4霍尔效应 电场和磁场对运动电荷施加力的作用产生的效应为霍尔效应。 用途： 判断半导体的导电类型、计算多数载流子的浓度和迁移率。 y方向上的感生电场称为霍尔电场EH。 霍尔电场在半导体内产生的电压称为霍尔电压VH。 VH =EHW VH为正，为p型半导体； VH为负，为n型半导体； * 半导体中的载流子均在y=0表面积累。 左手力，右手电，手心迎着磁感线 5.4霍尔效应 空穴浓度： 电子浓度： 空穴迁移率： 电子迁移率： * 利用霍尔效应： 1.判断半导体的到点类型； 2.测算半导体中载流子的浓度； 3.测算半导体中载流子的迁移率； 4.测算半导体中载流子的漂移速度。 5.5小结 半导体中的两种基本输运机构。 半导体内的散射过程。 速度饱和 载流子迁移率为平均漂移速度与外加电场之比。是温度以及电离杂质浓度的函数。 电导率 爱因斯坦关系 霍尔效应 * P130复习题2，3，7 5.1 5.7 5.23 * 本 章 作 业 第5章 载流子输运现象 2014年10月 * 本章内容 第5章 载流子输运现象 5．1 载流子的漂移运动 5．2 载流子扩散 5．3 杂质梯度分布 5．4 霍尔效应 5．5 小结 输运＝运输　（土路　公路　铁路　磁悬浮　飞机　火箭…） * 载流子输现象：载流子定向运动的总称。 漂移运动：载流子在外场E的作用下的定向运动； 扩散运动：载流子在存在载流子浓度梯度条件下的定向 运动。 5.1载流子的漂移运动　漂移电流密度 若密度为ρ的正体积电荷以平均漂移速度 运动，则形成的漂移电流密度为 在外场|E|的作用下，半导体中载流子要逆(顺)电场方向作定向运动，这种运动称为漂移运动。 定向运动速度称为漂移速度，它大小不一，取其平均值 称作平均漂移速度。 单位：C/cm2s或A/cm2 空穴形成的漂移电流密度 e单位电荷电量；p：空穴的数量；vdp 为空穴的平均漂移速度。 空穴的速度是否会持续增大？ * 5.1载流子的漂移运动　漂移电流密度 总漂移电流密度： 空穴漂移电流方向与外加电场方向相同。 同理，可求得电子形成的漂移电流密度 弱电场条件下，平均漂移速度与电场