Holtsens传感器.docVIP

实验 直流激励时霍尔传感器的位移特性实验传感器的种类繁多，传感器技术是一门分散型技术.又是一门知识密集性技术。它涉及物理、化学、生物、材料、电子学等几乎所有的科学技术。一、实验目的：1、掌握霍尔传感器工作原理与应用；2、通过静态位移量输入了解霍尔传感器工作特性。二、实验仪器：霍尔传感器模块（THSRZ-1型）或（DH-CG2000型）、霍尔传感器、测微头、直流电源、数显电压表。三、实验原理：霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器，霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。1、霍耳元件置于磁感应强度为B的磁场中，在垂直于磁场方向通以电流I，则与这二者垂直的方向上将产生霍耳电势差UH 。 （1）（1）式中K为元件的霍耳灵敏度。如果保持霍耳元件的电流I不变，而使其在一个均匀梯度的磁场中移动时，则输出的霍耳电势差变化量为：图 1 （2）