ITO溅镀靶开发和应用.docVIP

ITO濺鍍靶開發與應用 ITO透明導電薄膜在顯示器及光電產業上正扮演舉足輕重的角色，而優良的薄膜特性除了要有精密的濺鍍設備及熟練的操作技巧外，更需高密度且高穩定性的ITO靶材配合。本文將簡單描述此材料的發展歷程及其材料原理，並將可行的製程及未來發展介紹給讀者，期對各位有所幫助。 關鍵字：銦錫合金、靶材、濺鍍、透明導電薄膜 ITO、Target、Sputter、Transparent Conducting Film 1、? ITO材料開發歷程 所謂ITO是指Indinum及Tin的氧化和合物，早在1954年G.Rupprecht的論文中(1)就已發現，利用金屬銦(In)真空蒸鍍於石英基板並於空氣中進行700~1000℃短時間的熱處理使其透明化後，即得到膜厚約60~250nm具有導電性的的In2O3透明薄膜。14年後的1968年，Philips公司的H.J.J.van Boort與E.Kauer(2)即首先利用噴塗(spray)的方式將醋酸銦＋SnCl4的酒精溶液噴塗於玻璃板上，再經600℃加熱而做出2×10-4Ω.cm低阻抗且含有Sn原子的ITO膜。這篇論文的提出代表了透明導電薄膜材料發展的一個重要里程碑。 早期的研究中，常發現由於不含任何不純物的In2O3薄膜，本身並不穩定，經常是會形成In2O3-x的缺陷結構，導電性容易因O2原子的不足所導致的晶體缺陷而降低。為了克