EUV来了.docVIP

EUV来了！所谓EUV? 发布时间：2009-9-11 18:20:54 来源：中国IC技术交易网 曾经看过这样一个寓言故事：一棵苹果树终于结果了。第一年，它结了10个苹果，9个被拿走，自己得到1个。第二年，它结了100个果子，被拿走90个，自己得到10个。但没关系，它还可以继续成长，第三年结1000个果子。其实，得到多少果子不是最重要的。最重要的是，苹果树在成长！等苹果树长成参天大树的时候，那些曾阻碍它成长的力量都会微弱到可以忽略。不要太在乎果子，成长是最重要的。 日本人H.Kinoshita也许不曾读过这个“做一棵永远成长的苹果树”的故事，但是，他于1986年首次提出的采用极紫外光（Extreme Ultraviolet，EUV）作为新的芯片图形制作的理念却不断的成熟发展着，虽然历程并不平坦。EUV技术原本被寄希望于在65nm技术节点被采用，但是随着浸入式光刻、双重图形等技术的不断涌现，它崭露头角的日子不断的推迟。甚至有人质疑是否真的需要EUV？时至今日，在22nm步步紧逼的时候，早已习惯了DUV光刻的同行们多少有些沮丧的发现，原有的光刻技术已有些“鸡肋”的味道，这是不是意味着EUV的“好日子”即将到来？所谓EUV市场的殷切需求和技术节点的不断进步仿佛是悬在光刻技术头顶的“利剑”，虽然不至于“随时冷汗涔涔”，但是在某种程度上督促着光刻要永远走在前面。商品化光刻机分辨率从1.0μm到0.1μm的演变过程和光源波长从436nm（G-line），经历356nm(I-line)和248nm（KrF），到如今193nm（ArF）的过程；NA从0.35经历了0.45、0.55、0.6到0.85；K1因子的变化由0.8～0.4。20世纪末开始，微处理器和DRAM特征尺寸的缩减呈现了加速和偏离摩尔定律的趋势，这更加速了光刻机的变革步伐。然而，短波光学系统设计加工及相关材料的开发、NA的继续增加和K1的不断减小正面临着一系列的挑战。例如：大NA光学系统将导致焦深的减少，造成工件台和环境的控制更加苛刻，要求物镜波面差更小；较低的K1导致掩膜误差因子的增大，造成复制图形精度和保真度的下降。使用DUV光刻技术的问题在于，随着光波长的变小，光会被用来聚光的玻璃透镜吸收。结果是光到达不了硅片，也就无法在晶圆上生成任何图案。这也正是EUV光刻技术将取代它的原因。在EUV光刻技术中，玻璃透镜将被反射镜取代以用于聚光。EUV光刻技术早期有波长10～100nm和波长1～25nm的软X光两种，两者的主要区别是成像方式，而非波长范围。前者以缩小投影方式为主，后者以接触／接近式为主。目前的EUV技术使用的是激光等离子源产生的约13.5nm的紫外波长，这种光源工作在真空环境下以产生极紫外射线，然后又光学聚焦形成光束。光束经由用于扫描图形的反射掩膜版反射。图1展示了EUV的基本工作原理：激光对准氙气喷嘴。当激光击中氙气时，会使氙气变热并产生等离子体；一旦产生等离子体，电子便开始逃逸，从而发出波长为13.5nm的光；接着这种光进入聚光器，然后后者将光汇聚并照到掩膜上；通过在反射镜的一些部分施加而其它部分不施加吸收体，在反射镜上形成芯片一个平面的图案的光学表示，这样就产生了掩膜；掩膜上的图案被反射到四到六个曲面反射镜上，从而将图像微缩，并将图像聚投到硅晶圆上；每个反射镜使光线稍微弯曲以形成晶圆上的图像，这就像照相机中的透镜将光弯曲以在胶片上形成图像一样。整个工艺必须在真空中进行，因为这些光波长太短，甚至空气都会将它们吸收。此外，EUV使用涂有多层钼和硅的凹面和凸面镜——这种涂层可以反射将近70%的波长为13.5nm的极紫外线光，其它30%被反射镜吸收。如果没有涂层，光在到达晶圆之前几乎就会被完全吸收。镜面必须近乎完美，即使涂层中的小缺陷也会破坏光学形状并扭曲电路图案，从而导致芯片功能出现问题。光源能量问题首当其冲“射人先射马，擒贼先擒王”，既然EUV主打的是更短的波长这张牌，那么其核心理所当然是光源的相关问题。开发EUV光源面临的最大挑战在于，如何在提高EUV光源瓦数的同时，降低等离子气氛中微粒、高速粒子和其它污染物，否则光源将会快速恶化。EUV光源可以分为光产生、光收集、光谱纯化三个部分。通常来说，EUV光源的产生有两种方法：激光等离子体光源(LPP)和放电等离子体光源(DPP)。LPP EUV系统主要包括激光器、汇聚透镜、负载、光收集器、掩膜、投影光学系统和芯片。其原理是利用高功率激光加热负载(Xe或Sn)形成等离子体，等离子体辐射出紫外线，利用多层膜反射镜多次反射净化能谱，获得13.5nm的EUV光。LPP EUV光源的优点是光源尺寸小，产生碎片或粒子的种类少，光收集效率高以及较容易放大EUV输出功率。当然它也有缺点，主要是系统设计复杂，价格昂贵。DPP EUV