功能材料温习题.docVIP

1.?综述缺陷对材料性能的影响与缺陷的作用?????晶体缺陷对晶体生长、晶体的力学、电学、磁学和光学性能等均有着极大影响.?缺陷按维度可分为四种：零维缺陷（点缺陷），一维缺陷（线缺陷），二维缺陷（面缺陷），三位缺陷（面缺陷）。具体言之：1.零维缺陷さ闳毕莳?包括空位、间隙原子、杂质、错置原子等。?点缺陷与材料的电、光性质、材料的高温动力学过程等有关。例如在半导体材料中加入杂质原子，可使其性能发生几个数量级的变化。2..Ｒ晃缺陷?线缺陷，又称位错，?包括螺型位错与刃型位错等?。ハ呷毕莸牟生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。??位错密度对晶体的机械性能和某些电磁光性能均有显著影响。3.二维缺陷，面缺陷??包括晶界、表面、堆积层错、镶嵌结构等。面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。?4.三维缺陷??体缺陷?表现在空洞、析出的第二相等。??缺陷对物理性能的影响很大，可以极大的影响材料的导热、电阻、光学、和机械性能，极大地影响材料的各种性能指标如强度，塑性等。缺陷对化学性能影响主要集中在材料表面性能上，比如杂质原子的缺陷会在大气环境下形成原电池模型，极大地加速材料的腐蚀。另外表面能量也会受到缺陷的极大影响，如表面化学活性，化学能等等。正是有了缺陷，金属材料才能有着我们需要的良好的使用性能，比如人工在半导体材料中进行掺杂，形成空穴可以极大地提高半导体材料的性能。所以如果合理的利用缺陷，可以提高材料某一方面的性能???2.上转换发光材料是怎样实现由长波长光子激发，却发射短波长光子的？?????可分三种情况分析：一、存在中间能级，在光激发下，基态电子先跃迁至中间能级，并停留足够长的时间，以至该电子在中间能级还可以吸收另外一个光子而跃迁到更高能级。当电子从更高能级向基态跃迁时，发出短波长光子。二、不存在中间能级，但基态电子可连续吸收两个光子，直接跃迁至更高能级，回迁时发出短波长光子。三、两个敏化中心被激发，并将激发能传递给发光中心，是基态电子跃迁到更高能级，弛豫之后发出短波长光子。3.能带是怎样形成的？以能带结构解释物质导电性的差异。能带是大量原子组成晶体后，由各个原子的能级的电子云重叠分裂而形成的。金属的能带未填满，因而具有导电性；半导体和绝缘体在0?K时，低能带完全填满，高能带全空，两能带之间有能隙Eg，能隙大则为绝缘体，反之则为半导体；第六主族元素p带电子虽未填满，但是由于共价键结合，导致价带被填满而不能导电。4.影响纯金属电阻的因素及其作用。?????影响纯金属的电阻因素主要有温度，压力，缺陷，具体如下：?温度的影响：在高温下，电阻率与温度成正比，在较低温度时，电阻率与温度的五次方成正比。?压力的影响：在流体静压力下，多数金属电阻率减小；强压下，电阻率发生突变，金属可能发生相变，甚至能将绝缘体或半导体变成导电物质。?缺陷的影响：缺陷使金属发生静畸变，从而增加电阻率。缺陷中的点缺陷有如空位、间隙原子对电阻率的影响最大，例如淬火产生空位可以增加电阻率。5.影响纯铁磁性能的因素及其作用?杂质的影响：C对纯铁的影响最为突出，其表现为使饱和磁化强度Ms降低，最大磁导率μm下降，磁滞损耗增加，磁化困难。可通过控制冶炼与轧制过程有效去除气体含量和有害杂质，以改善纯铁性能。?晶粒大小的影响：晶粒尺寸大，可以提高磁导率μ，降低矫顽力Hc。因此纯铁退火时，温度不宜高于910度，以免因重结晶而导致晶粒细化。?塑性变形的影响（冷加工）：冷加工使矫顽力Hc增大，磁导率μ降低，使磁性能恶化。因此，冷加工之后要退火处理，退火时应注意避免重结晶。6.导电陶瓷是怎样导电的？并说明导电陶瓷的晶体结构特征。导电陶瓷有有种导电机制：一种是电子与核一起移动，即离子导电；另一种是电子脱离一个原子核再到另一个原子核，即电子导电。这两种方式也可以同时进行。晶体结构特征有：?晶体结构的主体是由一类占有特定位置的离子构成；?具有大量的空位，空位数远多于可移动离子数。因此晶格中总是存在可供迁移离子占据的空位；?亚晶格点阵之间有近乎相等的能量和相对低的激活能；④在点阵间总是存在通路，以至于沿着有利路径可以平移。7.什么是N型与P型半导体？怎样掺杂才能使SiO2成为N型与P型半导体？举例说明当施主与受主同时存在时，如何判断SiO2是N型还是P型半导体。????N型半导体是本征半导体在掺杂杂质元素后导致导带电子浓度增加的半导体；P型半导体是本征半导体在掺杂杂质元素后导致价带空穴浓度增加的半导体。在纯半导体材料中掺杂少量第五主族的元素，如P、As、Sb等可成为N型半导体；在纯半导体材料中掺杂少量第三主族的元素，如B、Al、Ga等可成为P型半导体。当施主和受主同时存在时，则哪一类型杂质超过另一类即为哪一类半导体。8.综合介绍第三代半导体材料碲镉汞碲镉汞——Hg1-xCdxTe，ⅡB—ⅥA化合物半导