以电混凝法去除模拟化学机械研磨废液中二氧化矽粒子之研究.pdfVIP

．弘光學報53 期． 以電混凝法去除模擬化學機械研磨廢液中 二氧化矽粒子之研究 1 2 3＊ 4 4 邱蕙琳 張時瑜 周偉龍 賴宥蒼 張文俊 1弘光科技大學化妝品應用系 2 弘光科技大學職業安全與防災研究所 3 弘光科技大學環境與安全衛生工程系 4 弘光科技大學工業安全衛生系 收到日期：97.5.5　 修訂日期：97.5.29　 接受日期：97.6.2 摘要 在半導體工業中，化學機械研磨技術(CMP)已成為晶圓上介電層和金屬層研磨之重要技術，通 常在CMP程序後需使用大量的超純水清洗晶圓表面之金屬物質，CMP廢液幾乎全部由此方式產生， 然而如何有效處理CMP程序後所產生之廢液為現今重要的議題。本研究應用電混凝技術處理CMP 模擬二氧化矽研磨廢液(Oxide slurry) ，主要是探討廢液中二氧化矽顆粒去除及降低濁度之可行性， 並探討電解質濃度、操作電壓及輸出功率之參數對於濁度及矽顆粒去除的影響；實驗結果顯示，在 電混凝程序之最適電解質(NaCl)濃度為200ppm ；操作電壓則是在30V時之輸出功率較符合節能之考 量；電混凝經過十分鐘後，廢液中之二氧化矽顆粒平均粒徑達到520nm時開始產生凝聚沉降；而到 達十到二十分鐘時，廢液中之二氧化矽顆粒平均粒徑已由520nm上升至1900nm ，而且在此段時間廢 液中之二氧化矽顆粒大量產生聚集沉降並同時使溶液濁度達到95%以上之去除效果。 關鍵詞：化學機械研磨、電混凝、濁度、廢液 ＊通訊作者 267 ．以電混凝法去除模擬化學機械研磨廢液中二氧化矽粒子之研究． 壹、前言 合將晶圓表面上不平的部分移除，而達平坦化 之目的 ，在CMP過程中將使用研磨漿，而研磨 半導體業為我國重要的產業支柱，同時也 過程中會使用大量的超純水沖走吸附在晶圓表 是兩兆雙星中我國極力發展的產業之一，尤其 面的研磨料(Browne et al., 1999) 。通常，CMP 近年來隨著高科技產業的蓬發展，琳瑯滿目的 所產生的有機和無機污染物主要來自於CMP研 高科技產品推出的同時也暗中意味著生產製程 磨漿(Golden et al., 2001) 。CMP廢水中之無機 背後所面臨的環境課題變的更為重要。就產業 污染物包含SiO , Al O , 或CeO 懸浮固體（奈米 2 2 3 2 發展的趨勢看來，晶圓線寬不斷地在縮小，電 到微米級尺寸）而濃度為50-500mg/L, ，有機污 晶體及金屬導線的積集度持續增加，這樣發展 染物包含了金屬螯合劑，界面活性劑，穩定劑 的同時於製程中所需要的超純水純度將大幅提 及流變控制劑(Golden et al., 2000) ，根據文獻指 高，以及晶圓潔淨度也將被大為限制。化學機 出(Corlett et al., 2000) ，CMP程序所消耗之用水 械研磨(CMP)為半導體工業的一項重要製程， 量占了半導工業的40% 。對於半導體