碲化镉太阳能电池5.ppt

CdTe太阳能电池;10cm*10cm小型碲化镉薄膜太阳能电池模组;碲化镉太阳能电池研究进展 ;1.研究进展;1.研究进展;1982年，Kodak实验室里由化学沉积法在P型的 CdTe上制备一层超薄的CdS。制备出效率超过10％ 的异质结p-CdTe／n—CdS薄膜太阳能电池;1.研究进展;1.研究进展;;2.碲化镉太阳能电池原理 ;CdTe太阳能电池发电的原理是基于光伏效应，即由太阳光子与半导体相互作而 产生电势从而输出电流对外做功。 p/n结型太阳能电池的基本工作原理是：P型半导体和n型半导体结合在一 起形成p-n结，由于多数载流子的扩散形成空间电荷区，同时形成一个不断增 强的从n型到P型半导体的内建电场，导致多数载流子反向飘移。当这一过程 达到平衡，扩散电流和飘移电流相等。当有光照射p-n结，且光子能量大于P-n 结的禁带宽度时。吸收层的电子获得能量跃迁到导带，同时在价带中产生空穴。 在P-n结附近会产生电子．空穴对。产生的非平衡载流子由于内建电场作用向 空间电荷区两端漂移从而产生光生电势。将p-n结与外电路导通，电路中会出 现电流。这一现象称为光生伏特效应，简称光伏效应。; superstrate结构是在玻璃衬底上依次长上透明氧化层（TCO）、CdS、CdTe薄膜，而太阳光是由玻璃衬底上方照射进入，先透过TCO层，再进入CdS/CdTe结。而在substrate结构，是先在适当的衬底上长上CdTe薄膜，再接着长CdS及TCO薄膜。其中以superstrate的效率最高。;透明导电氧化层;CdTe薄膜太阳能电池能带图;2.碲化镉太阳能电池原理;2.碲化镉太阳能电池原理;CdS窗口层;2.碲化镉太阳能电池原理;2.碲化镉太阳能电池原理;3.碲化镉太阳能电池制作工艺;3.碲化镉太阳能电池制作工艺;电沉积、化学浴沉积等低温沉积技术制备的薄膜致 密，晶粒细小。经过后处理，晶粒长大。 丝网印刷、近空间升华、元素气相化合等高温沉 积技术，制备的薄膜，晶粒尺寸在2～3 u m以上， 仍需在含氯化合物+氧气氛下进行后处理，才能制 备出较高转换效率的电池，可能的原因是氯不仅促 进了晶粒的长大，而在CdTe中作为受主杂质，钝化 了晶界缺陷。;3.碲化镉太阳能电池制作工艺;CdTe薄膜制备技术;3.碲化镉太阳能电池制作工艺;　近空间升华法沉积设备??意图;CdTe在高于450度时升华并分解，当它们沉积在较低温度的衬底上时，再化合形 成多晶薄膜。为了制取厚度均匀、化学组份均匀、晶粒尺寸均匀的薄膜，不希望 镉离子和碲离子直接蒸发到衬底上。因此，反应室要用保护性气体维持一定的气 压。这样，源和衬底间的距离必须很小。 显然，保护气体的种类和气压、源的温度、衬底的温度等，是这种方法的最关键 的制备条件。保护气体以惰性气体为佳，也可以用氮气和空气。其中，氦气最 好，被国外大多数研究组采用。; 近空间升华法是目前被用来生产高效率CdTe薄膜电池最主要的方法------蒸发源是被置于一与衬底同面积的容器内，衬底与源材料要尽量靠近放置，使得两者之间的温度差尽量小，从而使薄膜的生长接近理想平衡状态。使用化学计量准确的源材料，也可以得到化学计量准确的CdTe薄膜。一般衬底的温度可以控制在450～600℃之间，而高品质的薄膜可以在大约 1um/min 的速率沉积下得到。;3.碲化镉太阳能电池制作工艺;3.碲化镉太阳能电池制作工艺;3.碲化镉太阳能电池制作工艺——背接触层;几种结构的CdTe太阳电池的性能比较;硫化镉、碲化镉、复合背接触层等三层薄膜的沉积和后处理是获得高效率的技术关键 ;激光刻划; ★使用磷酸-硝酸混合溶液可以获得较好的腐蚀效果，典型溶液的体积浓度为（硝酸：磷酸：水）0.5：70：29.5，室温下腐蚀时间為为1分钟。降低硝酸浓度和温度可以进一步延长腐蚀。磷硝酸溶液沿晶界的择优腐蚀较为严重，容易在沉积背电极后形成局部的短路漏电通道。使用硝酸-冰乙酸溶液可以进一步减轻晶体择优腐蚀程度，获得更好的膜面腐蚀效果。 ;4.碲化镉太阳能电池成本估算;4.碲化镉太阳能电池成本估算;5.碲化镉太阳能电池优势与缺陷;镉排放量;缺点;前景展望;参考文献