医用电子学 第2.4节6.pptVIP

第四节 场效应管放大器（FET amplifier） 场效应管（field effect transistor常用FET表示）是继电子管、双极型晶体管后发展起来的新型半导体电压控制元件。其输入阻抗高（可达1012?以上），噪声低，稳定性好，耐辐射力强。 场效应管（FET）可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（IGFET）两种类型。 ②分类： JFET有N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应 管两种类型。 ③符号： N沟道和P沟道场效应管的符号如图所示： B、工作过程： 改变UGS，可改变导电沟道横截面积的大小。设UDS为一适当恒定值。 若UGS=0时， 则UGD0 ，PN结部分处于反向偏置，两耗尽层较薄（但靠近D极较厚），导电沟道横截面积较大，沟道电阻较小，ID较大。 若UGS0时，反向电压UGD增大，PN结各处都处于反向偏置，两耗尽层变厚，但靠近D极更厚，导电沟道横截面积变小，沟道电阻较大，ID减小。 场效应管用于放大时，一般都工作在预夹断后的区域，即要求UDS≥|UP|。UGS=0时，此时漏极电流最大，用IDSS表示，称为饱和漏电流。 B、特点： 当UDS大小改变时，转移特性曲线的位置将发生移动，但当UDS较大时不再改变。特性曲线可近似表示为 二 绝缘栅场效应管（Insulated Gate Field Effect Transistor简称IGFET） 1、增强型绝缘栅场效应管结构和工作原理 ①结构： 绝缘栅场效应管也有N沟道和P沟道两类， 其中每一类又可分为增强型和耗尽型两种。 以N沟道增强型绝缘栅场效应管为例。 N沟道增强型绝缘栅场效应管结构如图： ②符号：N—MOS管的符号如图： 栅极下的氧化层产生一个电 场，其方向垂直于半导体表 面向下。电场将排斥P型半 导体中的多数载流子（空穴） ，在半导体表面形成由正离 子组成的耗尽区；同时该电 场也吸引半导体中少数载流子 (自由电子)，在UGS较小时， 未形成导电沟道，ID=0。 由于管子的断开和导通是通过栅源电压UGS产生的电场来实现的， UGs愈大，N沟道愈宽， 导电能力越强，因而 成为N沟道增强型场效 应管。如图所示： 三、场效应管的主要参数 1、直流参数： ①开启电压UT： 在一定的UDS下，使沟道导通的最小UGS。适用于增强型MOS管。 ②夹断电压UP： 在一定的UDS下，使ID=0时的 (一般是使ID为5μA时所对应的值 UGS )。适用于JFET和耗尽型MOS管。 ③饱和漏电流IDSS： 在UGS=0时，一定的UDS（UDS|UP|）产生的ID。 ④直流输入电阻RGS： 栅源电压UGS与IG之比。MOS管的RGS比JFET的高，可达1010?。 对MOS管应注意：因其输入电阻高，极间电容小，栅极上的感应电荷易积累，造成电压升高，使氧化层易击穿，管子损坏。故MOS管的GS间应保持直流通路。 场效应管与晶体管比较 1、晶体管：发射结（PN结）正向偏置，基极电流相对较大，输入电阻相对较小，是电流控制元件。 场效应管：输入端PN结反向偏置（JFET）或有绝缘层隔离（MOS），栅极基本上不取电流，输入电阻高，为电压控制元件。 国产半导体器件的符号和命名法 ③极间电容： 场效应管三个电极间存在的电容。即CGS、CGD、CDS，其值很小，约0.1-0.3pF。 即 3、极限参数 ①漏源击穿电压BUDS： 当UGS一定时，使IDS突然急增的漏源电压UDS。 ②栅源击穿电压BUGS： A、JFET：反向饱和电流急剧增加时的栅源电压UGS。 B、MOS：使SiO2绝缘层击穿的电压。 ③最大漏极电流IDM:管子正常工作时漏极电流的上限值,超过时管子易损坏. 2、场效应管：利用多子导电，是单极型器件，稳定性好。 晶体管：多子和少子均参与导电，是双极型器件，稳定性差。 3、场效应管：源极S与漏极D可互换。 晶体管：发射极e与集电极c不可互换。 4、MOS场效应管为自隔离电子器件，在焊接时注意接地，保存时将各电极引线短路。 为典型的自给偏压式 电路。由于栅极电阻RG 接地，静态时，RG中无 电流流过，则UG=0。 电流ID流过电阻RS时， 产生压降US=IDRS，则栅源间偏压为UGS=UG－US=－IDRS。 UGS是靠自身电流ID产生，所以称为自给偏压电路。