压印光刻工艺中光刻胶填充流变模拟跟试验探究.pdfVIP

第46卷第3期 机械工程学报 v01．46NO．3 2010年2月 Feb． 2010 JOURNALOFMECHANICALENGINEERING DoI：10．3901／朋ⅥE．2010．03．165 压印光刻工艺中光刻胶填充流变 模拟与试验研究木 王权岱1 段玉岗1 卢秉恒1 李涤尘1 向家伟2 (1．西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室西安710049； 2．桂林电子科技大学机电工程学院桂林541004) 摘要：压印光刻工艺中，为了实现高质量的压印复型，必须能够理解和预测压印载荷作用下光刻胶的流变填充行为。根据实 际采用的光刻胶的特性，建立了基于粘性流体的光刻胶流变填充有限元模型，采用体积率法对光刻胶流场的运动边界进行追 踪，研究模板特征几何尺寸、胶层厚度及及尺度效应对压印填充过程的影响及其作用机理。结果表明，光刻胶流变填充以单 峰或双峰两种模式进行，模式的转变点可由特征凹槽宽度和初始胶厚度的比值来预测，并受表界面效应的影响；最有利于填 充的特征深宽比约为O．8；最佳初始胶层厚度约为特征深度的2倍。进行了相应的压印试验，试验结果与模拟计算的结论吻 合，说明仿真结果可信，可以作为压印光刻工艺中模板图形几何特征、胶厚以及模板表面处理的工艺设计依据。 关键词：压印光刻流变分析体积率法数值模拟 0359+．1 中图分类号：TN305．7 Simulationand onPhotoresistFlowand Experimental Study Behaviorin Process ’Deforming ImprintLithography WANG DUAN LI XIANGJiawei2 Quandail LU Dichenl Yugan91Binghen91 for (1．StateKeyLaboratoryManufacturingSystemsEngineering， Xi’an 710049； JiaotongUniversity,Xi’an 2．SchoolofMechanicalElectrical Engineering， Guilin ofElectronic 541 University Technology,Guilin004) Abstract：Itis tounderstandand flowand behaviorin toobtain necessary the process predictphotoresistfilling imprintlithography of element on fl