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数字电子技术基础 第三章 门电路 Pan Hongbing VLSI Design Institute of Nanjing University 2.1 概述  常用的门电路在逻 辑功能上有: 与门、 或门、非门、与非 门、或非门、与或 非门、异或门等几 种 单开关电路 互补开关电路 图3.1.1 获得高、低电平的基本原理 图3.1.2 正逻辑与负逻辑 一些概念  1、片上系统（SoC ）  2、双极型TTL 电路  3、CMOS  1961年美国TI公司,第一片数字集成电路 （Integrated Circuits, IC）。  VLSI(Very Large Scale Integration) 3.2 半导体二极管门电路  3.2.1 半导体二极管 的开关特性 图3.2.1 二极管开关电路 图3.2.1 二极管开关电路 可近似用PN结方程和下图所 示的伏安特性曲线来描述。  v/VT  iI e 1 s 其中：i为流过二极管的电流。 v为加到二极管两端的电压。 nkT V  T q 图3.2.2 二极管的伏安特性 图3.2.3 二极管伏安特性的几种近似方法 图3.2.4 二极管的动态电流波形 3.2.2 二极管与门 一般仅用作集成电路内 部的逻辑单元。 缺点： 1、输出的高、低电平数值和输 入的高、低电平数值不相等。 相差一个二极管的导通压降。 2、输出端对地接上负载电阻时， 负载电阻的改变有时会影响输 出的高电平。 3.2.3 二极管或门 存在输出偏移的问题。 只用于集成电路内部的逻辑单 元。 无法制作具有标准化输出电平 的集成电路。 3.3 CMOS 门电路  3.3.1 MOS管的开关特性 在CMOS集成电路中， 以金属-氧化物-半导体场 效应晶体管（Metal- Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， 简称MOS管）作为开关 器件。  一、MOS管的结构和工 作原理 图3.3.1 MOS管的结构和符号 二、MOS管的输入特性和输出特性 几个概念： 1) 截止区。