清华数字电子技术第五版阎石ppt课件第7章.pptVIP

下载本文档

1
0
约小于1千字
约 35页
2018-07-20 发布于贵州
举报
版权申诉

清华数字电子技术第五版阎石ppt课件第7章.ppt

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

清华数字电子技术第五版阎石ppt课件第7章

《数字电子技术基础》（第五版）教学课件清华大学阎石王红;第七章半导体存储器; 第七章半导体存储器 ;第七章半导体存储器;二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写（Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 ;7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 一、结构 ;二、举例 ;地址;两个概念：存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数”(能存储的二进制位数);掩模ROM的特点：出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产简单，便宜，非易失性;7.2.2 可编程ROM（PROM）;7.2.2 可编程ROM（PROM）;7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM）;控制读写;读出(Gc正常高电平): 选中单元, 存0时,管子通,读出0; 存1时,管子截止, 读出1;二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 ;三、快闪存储器（Flash Memory）为提高集成度，省去T2（选通管）改用叠栅MOS管（类似SIMOS管）;7.3 随机存储器RAM;二、SRAM的存储单元 ;7.3.2* 动态随机存储器（DRAM）动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理 ;7.4 存储器容量的扩展;7.4.2 字扩展方式;;;7.5 用存储器实现组合逻辑函数;二、举例;与不可编程，或可以编程 ;;;第七章学习要求