清华大学微电子半导体物理期末考题邓宁.docxVIP

发信人:?blackeye?(黑眼),?信区:?Pretest标??题:?半导体期末题发信站:?FreeEE?(Fri?Jul??2?10:05:20?1999),?转信1.名词解释??平带电压；??光生伏特效应；??电子阻挡层。2.C-V曲线??1）解释理想情况的；??2）算有功函数差和SI02电荷的平带电压；??3）解释有界面态的C-V曲线。3.画异质结能带图，求出Vd和势垒的高度。4.解释本征吸收限；??解释直接跃迁吸收，间接跃迁吸收；??解释本征吸收限和温度的关系；??解释为什么在一定的能量吸收系数陡峭上升。发信人:?thirteen?(饿红坦克),?信区:?Pretest标??题:?田奶奶2005年1月12日考题——半导体发信站:?自由空间?(Wed?Jan?12?17:32:53?2005),?站内A卷一。选择题1。掺有磷的硅晶体中再掺入硼，电导率的变化如何（变大，变小，不变）2。温度升高，pn结反向电流的变化（大，小，不变）3。光照n型肖特基结，半导体一侧势垒高度变化（大，小，不变），金属一侧的势垒高度的变化（大，小，不变）4。两种半导体除掺杂浓度不同Nd1Nd2，其他都相同，求时间常数的关系（.,相等）5。pn结通正向小电流时，计算值比实验值小，求在分析的时候忽略了什么（势垒区的复合电流，产生电流）6。硅电子受光子激发，发生本征跃迁，下列那种说法错误（能量相等，波矢变，波矢不变）7。功函数为Wm的金属与Ws的半导体，WmWs，将形成（电子阻挡层，电子反阻挡层，空穴阻挡层，空穴反阻挡层）8。空穴与价带顶空态电子的速度（不同，相同），波失（不同，相同）二。简答题1。温度不同，吸收限不同的原因。300k时Ge在0.8eV处吸收系数陡峭上升，原因是什么（见书中P280的图10.7）2。Ge和Si的散射机构是什么？温度升高，分别怎样变化3。准热平衡以及准费米能的含义三。Ge,Si的异质pn结，Ge为p型，Si为n型???????已知两者的功函数，禁带宽度，X，以及Ef-Ev,Ed-Ef???????请画出能带图。四。单一受主的p型半导体，试推导：在低温弱电离情况下，dEf/dT的表达式五。n型半导体，失主浓度满足以下关系Nd=No*exp(-x/L)????求：?1.内建电场表达式?????????2.求电位以及能带图?????????3.证明爱因斯坦关系六。杂质补偿型半导体Si,Na=10^15/cm^3,Ef与Ed重合，平衡载流子n0=5*10^15/cm^-3，gd=2,ni=1.5*10^10/cm^-3，求：????????1.平衡时少子的浓度????????2.Si中的施主杂质浓度Nd????????3.电离杂质和中性杂质的浓度七。????---------------------------???/???????????/?????????????/??????/??光照?????/?????????????/??????/???????????/?????????????/--------------------------??x0???????x=0?????x0p型半导体，光照在体内均匀吸收，产生率为G,?求n(x)发信人:?smallsheep?(小羊),?信区:?Pretest标??题:?田立林－半导体物理?2004.1.12发信站:?自由空间?(Wed?Jan?12?17:24:45?2005),?站内奶奶这次还算厚道呵呵。简答题：1.解释那个“肩形”图，为什么300K比77K本征吸收限低，为什么会有陡峭上升的那段。2.Ge?Si中的主要散射结构，他们的散射几率随温度怎么变3.什么是准热平衡，什么是准费米能级。计算：1.推导出底低温弱电离时。只含一种受主的P型Si中EF随温度的变化率。2.ND=N0exp(-x/a),求出电场强度，电势分部，并做图，最后证明爱因斯坦关系。3.4.跟作业类似。不说啦。天空题其它人补充吧。呜.............发信人:?gshh?(我不是牛人),?信区:?Pretest标??题:?1字班半导体（微）期末试题（部分）发信站:?自由空间?(2004年01月03日10:31:17?星期六),?站内信件一。简要说明pn结势垒电容和扩散电容；简并半导体和非简并半导体光生伏特效应二。填空（不全）1。Si中两种主要散射机构__和__，前者迁移率随温度升高而__，后者迁移率随温度升高而__。2。补偿p型Si，电中性条件。低温弱电离__，强电离__，本征区__3。两个n型半导体形成同型异质结，EgaEgb,χaχb,WaWb,平衡时，ΔEc=__,ΔEv=__,Vd=__，画出能带图。4。半导体中的光吸收类型有__,__,__,__,__三。书上5。7题四。画n型MOS?C-V