半导体二极管三极管 3课件.pptVIP

集成电路的发展历程 ;1947年12月23日 第一个点接触式NPN Ge晶体管 发明者： W. Schokley J. Bardeen W. Brattain ;;集成电路的发展历程 ;集成电路的发明;集成电路的发展历程 ;集成电路的发展历程 ;集成电路发展的特点;后人对摩尔定律加以扩展，即集成电路的发展： 工艺每三年升级一代（代的定义为4倍能力，2年/代至3年/代）； 集成度每三年翻二番； 特征线宽约缩小30％左右； 逻辑电路（以CPU为代表）的工作频率提高约30％ ;第二章 半导体二极管和三极管;第二章 半导体二极管和三极管 2–1.基础知识.;一.本征半导体;　二.杂质半导体;二.杂质半导体;二.杂质半导体;16;17;第二章 半导体二极管和三极管 2–2. PN结;19;二、 ＰＮ结的单向导电特性 ; 此时, ＰＮ结处于导通状态, 它所呈现出的电阻为正向电阻, 其阻值很小。 正向电压愈大, 正向电流愈大。其关系是指数关系： ;图1 PN结单向导电特性 ; 2. ＰＮ结外加反向电压 若将电源的正极接Ｎ区, 负极接Ｐ区, 则称此为反向接法或反向偏置。此时外加电压在阻挡层内形成的电场与自建场方向相同, 增强了自建场, 使阻挡层变宽, 如图 1(ｂ)所示。 此时漂移作用大于扩散作用, 少数载流子在电场作用下作漂移运动, 由于其电流方向与正向电压时相反, 故称为反向电流。 由于反向电流是由少数载流子所形成的, 故反向电流很小, 而且当外加反向电压超过零点几伏时, 少数载流子基本全被电场拉过去形成漂移电流, 此时反向电压再增加, 载流子数也不会增加, 因此反向电流也不会增加, 故称为反向饱和电流, 即 ＩＤ＝－ＩＳ。 ; 此时, ＰＮ结处于截止状态, 呈现的电阻称为反向电阻, 其阻值很大, 高达几百千欧以上。  综上所述：ＰＮ结加正向电压, 处于导通状态；加反向电压, 处于截止状态, 即ＰＮ结具有单向导电特性。  将上述电流与电压的关系写成如下通式：  此方程称为伏安特性方程, 如图2所示, 该曲线称为伏安特性曲线。 ;图 2 PN结伏安特性 ;三.PN结的反向击穿;发生击穿并不一定意味着ＰＮ结被损坏。当PN结反向击穿时, 只要注意控制反向电流的数值(一般通过串接电阻Ｒ实现), 不使其过大, 以免因过热而烧坏ＰＮ结, 当反向电压(绝对值)降低时, ＰＮ结的性能就可以恢复正常。稳压二极管正是利用了ＰＮ结的反向击穿特性来实现稳压的, 当流过ＰＮ结的电流变化时, 结电压保持ＵＢ基本不变。 ;四、 ＰＮ结的电容效应 按电容的定义 ; 1.势垒电容CT 势垒电容是由阻挡层内空间电荷引起的。空间电荷区是由不能移动的正负杂质离子所形成的,均具有一定的电荷量, 所以在ＰＮ结储存了一定的电荷, 当外加电压使阻挡层变宽时, 电荷量增加, 如图3所示；反之, 外加电压使阻挡层变窄时, 电荷量减少。即阻挡层中的电荷量随外加电压变化而改变, 形成了电容效应, 称为势垒电容,用ＣＴ表示。理论推导 ;图 3 阻挡层内电荷量随外加电压变化 ?;图 4 势垒电容和外加电压的关系 ;2扩散电容CD ; 2扩散电容CD 扩散电容是ＰＮ结在正向电压时, 多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的。当ＰＮ结加正向电压时,Ｎ区的电子扩散到Ｐ区, 同时Ｐ区的空穴也向Ｎ区扩散。 显然, 在ＰＮ区交界处(x＝０), 载流子的浓度最高。由于扩散运动, 离交界处愈远, 载流子浓度愈低, 这些扩散的载流子, 在扩散区积累了电荷, 总的电荷量相当于图 5中曲线１以下的部分(图5表示了Ｐ区电子ｎp的分布)。若ＰＮ结正向电压加大, 则多数载流子扩散加强, 电荷积累由曲线１变为曲线２, 电荷增加量为ΔＱ；反之, 若正向电压减少, 则积累的电荷将减少, 这就是扩散电容效应CD, 扩散电容正比于正向电流, 即ＣD∝I。所以ＰＮ结的结电容Ｃｊ包括两部分, 即Cj＝ＣＴ＋ＣＤ。一般说来, ＰＮ结正偏时, 扩散电容起主要作用, Ｃｊ≈ＣＤ；当ＰＮ结反偏时, 势垒电容起主要作用, 即Ｃｊ≈ＣＴ。 ;2.3 半导体二极管;1 半导体二极管的结构;(3) 平面型二极管;2 二极管的伏安特性;3 二极管的参数;二极管的运用基础, 就是二极管的单向导电特性, 因此, 在应用电路中, 关键是判断二极管的导通或截止。二极管导通时一般用电压源ＵＤ＝０.７V(硅管, 如是锗管用０.３V)代替, 或近似用短路线代替。截止时,