温度对IV测试地影响.pptVIP

Company Name Dept. Name Company Name Dept. Name 报告人: 温度对IV测试的影响 组件工艺部 * 目 录 一、温度对组件电性能的影响 二、测试仪对温度的补偿 三、温度对组件测试结果的影响 四、不同温度下组件功率测试对比数据 * * 一、温度对组件电性能的影响 正常测试温度为25±2℃，随着温度的升高，开路电压急剧降低，短路电流略微增大，整体转换效率降低 * * 二、测试仪对温度的补偿 在不同温度下测试，测试仪对组件功率进行补偿 例（以260W多晶组件温度由25℃升至26℃为例） ： P=260+（26-25℃）*260*（-0.43%/℃）=258.882W 即：功率为260W的组件，温度升高1℃后功率降低1.118W，测试仪会对该组件补 偿1.118W。 组件温度补偿系数： 组件类型 多晶硅组件 单晶硅组件 短路电流温度补偿系数(αIsc) +0.062%/℃ +0.049%/℃ 开路电流温度补偿系数(βVoc) -0.330%/℃ -0.340%/℃ 最大功率温度补偿系数(γPmp) -0.450%/℃ -0.430%/℃ * * 三、温度对组件测试结果的影响 组件测试温度要求25±2℃，湿度≤70%，要求测试保持恒温恒湿，温度波动大可能导致组件表面温度与组件