模拟电子康5版课件第4讲.pptVIP

4.1 半导体三极管（BJT） 半导体三极管的型号 NPN共射输入特性曲线的特点描述 （1）当vCE=0V时，相当于正向偏置的两个二极管并联，所以与PN结的正向特性相似 （2） vCE≥1V的特性曲线比vCE=0V的右移。原因： vCE≥1V时集电结反偏，集电结吸引自由电子的能力增强，从发射区注入的自由电子更多地流向集电区，对应于相同的vBE （即发射区发射的自由电子数一定） ，流向基极的电流减小，曲线右移 （3） vCE1V与vCE=1V的曲线非常接近，可以近似认为重合 （4）有一段死区 （5）非线性特性 （6）温度上升，曲线左移 （7）陡峭上升部分可以近似认为是直线，即iB与vBE成正比（8）放大状态时，NPN的vBE =0.7V, PNP的vBE =-0.2V NPN共射输出特性曲线的特点描述 截止区: 的区域:三个电极上的电流为0,发射结和集电结均反偏,相当于开关打开,在数字电路中作为开关元件的一个状态。 有关三个区的几个简单结论 截止区: 三极管的三个电极所在的支路中的电流为0,任意两个极之间的电压是多少，决定于外电路，满足电路方程。 饱和区： NPN的vBE =0.7V, PNP的vBE =-0.2V，没有?，三极管的三个电极所在的支路中的电流决定于外电路，满足电路方程。 放大区：NPN的vBE =0.7V, PNP的vBE =-0