1.5功率场效应晶体管、1.6缘栅双极型晶体管.pptVIP

第一章 电力半导体器件;1.5 功率场效应晶体管—全控型;1.5 功率场效应晶体管—全控型;1.5.1 P-MOSFET的结构和工作原理;功率MOSFET的芯片内部结构;1.5.1 P-MOSFET的结构和工作原理;1.5.1 P-MOSFET的结构和工作原理;1.5.1 P-MOSFET的结构和工作原理;1.5.2 P-MOSFET的基本特性;1.5.2 P-MOSFET的基本特性;1.5.2 P-MOSFET的基本特性;P-MOSFET元件极间电容的等效电路;1.5.2 P-MOSFET的基本特性;1.5.3 P-MOSFET的主要参数 ;1.5.3 P-MOSFET的主要参数 ; 功率MOSFET具有电流负温度效应，没有二次击穿问题，具有非常宽的安全工作区，特别是在高电压范围内，但是功率MOSFET的通态电阻比较大，所以在低压部分不仅受最大电流的限制，还要受到自身功耗的限制。;① 正向偏置安全工作区(FBSOA) 正向偏置安全工作区由四条边界极限所包围的区域。漏源通态电阻线，最大漏极电流线，最大功耗限制线和最大漏源电压线， ② 开关安全工作区(SSOA) 开关安全工作区(SSOA)表示器件工作的极限范围。在功率MOSFET换流过程中，当器件体内反并联二级管从导通状态进入反向恢复期时，如果漏极电压上升过大，则很容易造成器件损坏。