石墨烯的低温等离子体制备及掺杂分析-preparation and doping analysis of graphene by low temperature plasma.docxVIP

石墨烯的低温等离子体制备及掺杂研究中文摘要石墨烯（graphene）是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成的六角形晶格结构的只有一个碳原子厚度的二维薄膜材料。石墨烯非常独特的晶体结构使其拥有非常优异的力学、光学、热学和电学等性质。石墨烯是目前世界上已知最薄却也是最坚硬的纳米材料；它几乎是完全透明的，光吸收率仅为2.3%；导热系数高达5300W/m?K；常温下其电子迁移率超过15000cm2/V·s，而电阻率只有约10-6Ω·cm，为目前世界上电阻率最小的材料。为了实现石墨烯材料的广泛应用，首先要研究出能制备大尺寸高质量石墨烯薄膜材料的方法；其次，能够对石墨烯薄膜的性质进行精确调控。所以，关于石墨烯薄膜的制备、特性及改性等是当今科学界研究的一大热点。目前，能够制备高质量石墨烯薄膜的方法主要有热化学气相沉积法（chemicalvapordepositionCVD）和高温热解SiC外延生长法。但是高温对生产设备提出了苛刻的要求，此外高温能耗巨大，这些都成为了工业生产的弊端。如何降低制备石墨烯薄膜所需的温度或发展新的石墨烯薄膜低温制备技术，对于石墨烯薄膜的应用具有重要的意义。低温等离子体技术的发展使得在低温条件下利用等离子体直接合成或等离子体辅助的材料制备成为可能，也成为当前半导体加工的主流手段。近年来，双频容性耦合等离子体（dualfrequencycapacitivelycoupledpl