模拟电子技术基础ppt课件讲义（场效应管）（ 精品）.pptVIP

场效应晶体管FET;绝缘栅场效应管（IGFET）;N沟道增强型MOSFET;增强型NMOS的剖面图;增强型NMOS管的工作原理;2. uGS0 但uGSUT （在栅-源极间加上正向电压）;3. uGS继续增加;综上： 增强型NMOS管在uGS＜UT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态； 只有当uGS≥UT时，才有沟道形成，此时在漏-源极间加上正向电压uDS，才有漏极电流产生。 而且uGS增大时，沟道变厚.;(二) uDS对iD的影响(当uGSUT且为一确定值时);随着uDS的增大，靠近漏极的沟道越来越薄，当uDS增加到使uGD=uGS-uDS=UT(或uDS=uGS-UT)时，沟道在漏极一端出现预夹断，即只要uDS再增加一点，沟道就被夹断，成为耗尽区。图(b) ;输出特性曲线：;转移特性曲线：;耗尽型NMOS管的结构示意图;输出特性曲线：;当uGS小到某一值时，原始沟道消失，漏极电流趋近于零，管子截止。这个临界的负电压称为夹断电压（UP）。;MOSFET符号 ;类型;类型; MOS管的开关作用：;(2) P 沟道增强型 MOS 管;MOS门的开关作用;1 MOS 管非门;2. CMOS反相器;“0” (0V);“0” (0V);3. CMOS与非门;4. CMOS或非门;实现线与 电路如右图所示，逻辑关系为:;二 、三态输出与非门（TS门）;; 用途