第7章半导体存储器9.pptVIP

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  • 2018-08-06 发布于江苏
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第7章半导体存储器9

东北大学信息学院 第7章 半导体存储器 静态存储器是以触发器为基本单元来存储0和1的,在不失电的情况下,触发器状态不会改变; 动态存储器是用电容存储电荷的效应来存储二值信号的。电容漏电会导致信息丢失,因此要求定时对电容进行充电或放电。 称为刷新。动态存储器都为MOS型。 按存取方式不同 : 分成只读存储器、随机存取存储器。 2、存取时间和存取周期 连续两次读(写)操作间隔的最短时间称为存取周期。 7.2 只读存储器 ROM可分为: 掩膜只读存储器(Mask Read Only Memory, 简称MROM)、 可编程只读存储器(Programmable Read Only Memory,简称PROM), 紫外线可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory,简称EPROM), 电擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory,简称EEPROM), Flash存储器(也称快闪存储器)。 7.2.1掩模只读存储器 掩模只读存储器是采用掩模工艺制作的,其中的存储内容是已经由制造商按照用户的要求进行了专门设计。因此,掩模ROM在出厂时内部存储的数据就已经固化好了。掩模ROM的存储数据可永久保存,在批量生产时成本最低。适用于存放固定不变的程序或

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