实验二等子体增强化学气相沉积制备薄膜.docVIP

实验二 等离子体增强化学气相沉积制备薄膜 实验目标 了解等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备薄膜的基本原理。 了解等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备薄膜的实验流程。 实验原理 化学气相沉积(CVD)原理 化学气相沉积是通过一定能量(热、等离子体、光、超声等)激发含有构成薄膜元素的气态前驱物(一种或多种化合物以及单质)经过一定的化学反应而在基片上形成固态薄膜。 CVD工艺（以硅烷气体(SiH4)分解形成多晶硅为例）：如图1所示一个简单的反应器，具有一个管道，管道壁温度维持在Tw，单个基片放置在管道中央的加热基座上，基座温度为Ts，通常保持TsTw。，假设气体从左到右通过管道流动。当硅烷接近热基座时就开始分解，所以硅烷的浓度将沿着管道长度方向降低，从而导致淀积速率沿着管道长度也存在梯度。为改善沉积均匀性，可引入惰性气体，使之硅烷混合，作为携带气体。另外还引入稀释气体。通常用做硅烷稀释剂的是分子氢(H2)。通常采用低浓度的反应气体(H2中含1％SiH4)，在腔体中保持气流的运行足够缓慢，使得反应腔中的压力可认为均匀的。 对于硅烷，所发生的总反应应该是： 如果这种反应是在基片上方的气体中自发地发生，称为同质过程(homogeneous process)。 一般说来，化学气相沉积过程包括以下几步(以硅烷分解形成多晶硅为例)：(1) 反应气体从腔体入口向基片附近