第十五届时全国化合物半导体质料、微波器件跟光电器件学术会议征文.pdfVIP

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件 学术会议征文通知 由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办，中山大学光电材料与技术 国家重点实验室承办的“第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议” 定于2008 年11 月在广州召开。该会议是每两年举行一次的全国性重大学术会议，会议将展 示化合物半导体，特别是近年来迅猛发展的宽禁带化合物半导体在材料生长、器件与电路设 计、制造工艺及其应用等方面的发展与最新成就，探讨国际上化合物半导体、微波器件和光 电器件以及固体薄膜的现状和发展趋势。召开这次会议的目的是为全国从事该领域的有关研 究、教学、生产的科技人员和管理人员提供一个学术与技术交流的平台，增进交流，互相学 习，以促进我国该领域的科学技术进步和产业发展。我们热忱欢迎广大学者和科技人员以及 相关企业界人士踊跃投稿参加，同时欢迎相关设备、仪器制造领域的科技人员参会交流。 主办单位：中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会 承办单位：中山大学光电材料与技术国家重点实验室 会议时间：2008 年11 月23 日(Sun.)至11 月28 日(Fri.) （初步预定） 会议地点：广州市 参观考察：会议期间将组织在广州周边参观考察活动，如果在技术操作可行 的情况下可以考虑安排香港或澳门参观考察活动。 重要的时间点： 1. 第二轮通知日期： 2008 年6 月中旬 2. 投稿截止日期： 2008 年7 月31 日 3. 论文接收通知日期：2008 年9 月中旬 一、征文内容： 1 、 GaAs 、InP 等化合物半导体材料、微波器件及光电器件； 2 、 宽禁带化合物半导体(GaN、SiC 和ZnO 等)材料、性质及器件应用； 3 、 硅基异质结构材料(如GeSi/Si、GaN/Si 等)制备、器件及其光电集成技术； 4 、 纳米(低维)半导体材料、性质及量子器件； 5 、 磁性半导体材料的制备、性质及器件应用； 6 、 化合物半导体微波器件和微波集成电路的设计、制造工艺和测试； 7 、 化合物半导体光电器件和光电集成电路的设计、制造工艺和测试； 8 、 化合物半导体微波器件及光电器件制造的其它相关技术，如耦合封装等； 9 、 化合物半导体微波器件和光电器件的可靠性和失效分析； 10 、化合物半导体微波器件和光电器件及系统的应用； 11 、新型化合物半导体材料制备、性质及器件应用； 12 、化合物半导体材料的微结构、表面、界面行为以及生长动力学研究； 13 、化合物半导体和薄膜材料的先进生长设备和测试分析仪器研制； 14 、化合物半导体和器件制备相关的基础材料(如金属有机源、高纯金属源、高纯工艺 气体等) ； 15 、化合物半导体和薄膜材料的表征和测试分析技术； 16 、半导体白光照明材料、器件及应用技术； 17 、其它(如稀土、有机半导体等)半导体材料、性质及器件应用； 18 、化合物半导体敏感材料、制备、表征及应用； 19、化合物半导体微、纳电子及光电子器件制造、表征及应用； 20 、半导体光电转换材料与器件应用。 二、 投稿分类： 根据以上征文内容，将参会者的稿件拟分为以下四大类。 1. 材料生长及表征 （Material Growth and Characterization ）, 类别代码：MGC 2 ．高频、高功率电子器件 (Electron Devices) , 类别代码：ED 3 ．发光器件及光电探测器件 （Optoelectronic Devices ）, 类别代码：OED 4 ．设备、系统及应用 （Equipment ，System and Applications）, 类别代码：ESA 投稿时，请参会者务必在文章的首页及Email 的标题中提供文章类别代码 (在会议提供的文 章模版里将有代码位置输入提示) ，以便会务人员安排专家审稿。以上分类方式可能会由于 届时参会人员的分布相对变化而作相应调整，望参会同仁谅解。 三、 论文要求： 1. 论文要力求反映国内外最