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金属探测器 该金属探测器电路由探测振荡器、基准振荡器、振荡信号处理器、混合放大器和电流表PA等组成，如图所示。 　　电路王作原理 　　探测振荡器由振荡管VI、探寻线圈L1、电容器C1～C4和电阻器R1～R3等组成。 　　基准振荡器由振荡管V2、电感器L2、电容器C6～C9和电阻器R2～R4等组成。 　　振荡信号处理器由六非门（Dl～D6）集成电路IC和外围阻容元件组成。 　　混合放大器由二极管YD、电阻器R12、R13、电容器C13和场效应晶体管VF组成。 　　接通电源开关S后，探测振荡器和基准振荡器均振荡工作，从V1和V2的集电极分别输出两个频率相同的正弦波振荡信号，两信号经振荡信号处理器放大和变换处理为两个频率与幅度相同、而相位相反的矩形波信号，再经RIO、Rll和VD1混合后送至YF的栅极。 　　在探测线圈Ll未探测到金属物时，两路方波信号的频率相同、相位相反，VF的栅极电压低于2.5V，VF不工作，电流表PA指示为0（电流表的指针指在刻度盘的正中间）。 　　当L1探测到金属物时，探测振荡器的工作频率将低于或高于基准振荡器的频率（探测到有色金属与探测到非有色金属时会有所不同），使VP栅极电压超过2.5V，VF工作，电流表PA的指针向左或向右偏转（当Ll探测到有色金属时，其电感量会变小，使探测振荡器的工作频率升高，电流表PA的指针向右偏转；若Ll探测到的是非有色金属，其电感量会增大，使探测振荡器的工作频率减小，电流表PA的指针向左偏转）。 　　元器件选择 　　RI1R3选用1/4W或1/8W碳膜电阻器。 　　RP选用小型实心电位器或密封式可变电阻器。 　　C1、C3、CT、08、CIO、C11和C13均选用高频瓷介电容器；C4～C6、C9和C12选用独石电容器或涤纶电容器；C2选用瓷介可变电容器；C14选用耐压值大于10V的铝电解电容器。 　　VD选用1N4148型硅开关二极管。 　　vs选用稳压值为4.5～5.1V、结电容为50PF的稳压二极管。 　　V1和V2均选用59018型硅NPN型晶体管。 　　VF选用V20A型场效应晶体管。 　　IC选用CD4069或MC14069型六非门集成电路。 　　L1用Φ0.27mm的漆包线在￠25mm的塑料环上绕90～110匝，线圈外部包上铝箔（铝箔宜留有开口，并用屏蔽线将铝箔与地之间连接好）；L2选用固定电感器（例如TDK色码电感）。 　　R4选用lmA电流表。 工作原理 高频振荡器??? 由三极管VT1和高频变压器T1等组成，是一种变压器反馈型LC振荡器。T1的初级线圈L1和电容器C1组成LC并联振荡回路，其振荡频率约200kHz，由L1的电感量和C1的电容量决定。T1的次级线圈L2作为振荡器的反馈线圈，其“C”端接振荡管VT1的基极，“D”端接VD2。由于VD2处于正向导通状态，对高频信号来说，“D”端可视为接地。在高频变压器T1中，如果“A”和“D”端分别为初、次级线圈绕线方向的首端，则从“C”端输入到振荡管VT1基极的反馈信号，能够使电路形成正反馈而产生自激高频振荡。振荡器反馈电压的大小与线圈L1、L2的匝数比有关，匝数比过小，由于反馈太弱，不容易起振，过大引起振荡波形失真，还会使金属探测器灵敏度大为降低。 振荡管VT1的偏置电路由R2和二极管VD2组成，R2为VD2的限流电阻。由于二极管正向阈值电压恒定（约0.7V），通过次级线圈L2加到VT1的基极，以得到稳定的偏置电压。显然，这种稳压式的偏置电路能够大大增强VT1高频振荡器的稳定性。为了进一步提高金属探测器的可靠性和灵敏度，高频振荡器通过稳压电路供电，其电路由稳压二极管VD1、限流电阻器R6和去耦电容器C5组成。 振荡管VT1发射极与地之间接有两个串联的电位器，具有发射极电流负反馈作用，其电阻值越大，负反馈作用越强，VT1的放大能力也就越低，甚至于使电路停振。RP1为振荡器增益的粗调电位器，RP2为细调电位器。 高频振荡器探测金属的原理 ??? 调节高频振荡器的增益电位器，恰好使振荡器处于临界振荡状态，也就是说刚好使振荡器起振。当探测线圈L1靠近金属物体时，由于电磁感应现像，会在金属导体中产生涡电流，使振荡回路中的能量损耗增大，正反馈减弱，处于临界态的振荡器振荡减弱，甚至无法维持振荡所需的最低能量而停振。如果能检测出这种变化，并转换成声音信号，根据声音有无，就可以判定探测线圈下面是否有金属物体了。 振荡检测器 ??? 振荡检测器由三极管开关电路和滤波电路组成。开关电路由三极管VT2、二极管VD2等组成，滤波电路由滤波电阻器R3，滤波电容器C2、C3和C4组成。在开关电路中，VT2的基极与次级线圈L2的“C”端相连，当高频振荡器工作时，经高频变压器T1耦合过来的振荡信号，正半周使VT2导通，VT2集电极输出负脉冲