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玻璃钝化深度讲义 (2009-09-26 16:27:31) 转载 ? 对于中小电流，击穿电压低于1600伏的器件，用玻璃钝化是相当普遍的。可以在金属化和划片之前使用简单的腐蚀造型法。玻璃料是由来自某些粘合剂（如异丙基醇，二乙二醇丁醚）中的精制玻璃粉末悬浮液涂敷上去的，在高温下粘合剂被烧掉了，玻璃熔化并在整个结的表面上形成密封保护层。涂敷玻璃主要有三种方法：医用手术刀法，电泳法和旋转匀涂法。 ? 淋式显影的方法来实现选择性保护。这种方法能实现均匀的涂层并利于大批量生产。还可以减轻由于热膨胀系数不匹配产生的应力和变形，并有利于划片。特别适用于具有场环或结终端延伸结构的全平面器件。其缺点是投入略大，材料浪费较多。 ? 沉积之后，粘合剂在低于玻璃熔点的温度上被烧掉，若有微量的粘合剂存在，就会使熔化的玻璃结构变形。? 粘合剂烧除以后，将温度升至玻璃熔点以上，降温后玻璃粉就会熔化并结晶。熔凝典型温度在650-900℃之间。它与玻璃成分有关。理想的情形是：温度低一点，使熔凝过程对已完成扩散的器件特性影响最小，并使由此产生热应力最低。? 如果可能，让金属化在玻璃钝化之前进行，以减少相互之间的影响。? 可惜低熔点玻璃的热膨胀系数较大，若涂层较厚就会造成龟裂现象，而厚涂层因击穿电压较高又是常被乐于采用的。 ? 钝化用玻璃所需具备的特性： a.??? 可控制的表面电荷密度NFB b.??? 同硅近似的热膨胀系数。 c.??? 较低的玻璃烧结温度。 d.??? 对p-n结性能无害。 ? 玻璃粉的制备：分别称取各成份所需的重量，纯度要求大于99.99%，并在旋转的搅拌器中混合后，将这些粉末在1300℃下在空气中熔化，然后倒入冷水中，将产生的玻璃料放入球磨机中磨成细粒，平均直径为4μm。 ? 常用的玻璃粉是铅铝硅酸盐玻璃和锌硼硅酸盐玻璃。铅系玻璃的热膨胀系数较低，适用于厚层；而锌系玻璃的温度稳定性较高，且在高场强下也较稳定，但它的熔凝温度要比铅系玻璃高一些。 ? 钝化玻璃的关键特性是玻璃中所含有的固定电荷的数量及类型。它们能改变反偏pn结空间电荷区的扩展范围。对于p+n结来说，希望玻璃层中含有负电荷，以促使空间电荷区展宽，降低表面峰值电场。然而过多的负电荷会使空间电荷区过分展宽，可能使n基区穿通，漏电流增大。（或产生场感应结，使击穿在表面进行并降低击穿电压。）玻璃中固定电荷的数量和极性与玻璃? 的类型和工艺条件有关：锌硼硅酸盐玻璃具有纯的正电荷，该正电荷随融凝温度的增高而减少；也随着在氧气中加入氮气而减少。铅铝硅酸盐玻璃带有负电荷，它随着融凝过程中氧气浓度的增加而变得更负。 通氧可以减少硅表面悬挂键，从而降低漏电流。 ? 划片工艺? 气压：6.5—7.2kg/cm2?? 转速500-700r/s?? 速度6-18mm/s? ?余高5μm???????????? 刃宽? 25--50μm ? 裂片工艺? 用纯水粘在不锈钢板上冷冻（-18℃? 30min）,取出后剥下蓝膜，用水冲入不锈钢筛网内，开水烫后在丙酮里浸泡20分钟后，异丙醇超声三到四次，脱水烘干（如有光刻胶残留须在白炽灯下30—50℃烘干） ? ? 由于硼铝在800℃以上会向n基区扩散，且镀镍亦易导致芯片耐压降低，因此，在条件可能时应在玻璃层内外用LPCVD或 APCVD(TEOS+O3)淀积SiO2或SIPOS。 ? 熔凝温度在Tcs与Tc1之间。结晶温度的变化会导致玻璃热膨胀系数的变化。由微分热分析结果来解释，Tcs与Tc1之间的温差小一些较为有利（结晶迅速，晶粒小）。降温时在Tf与Ts之间，晶核生长，此时降温速度宜快一些，微晶体直径小，玻璃应力消失快；（用具有大晶体的玻璃钝化的器件具有很大的漏电流）而Ts与Tt之间，降温要慢一些，使应力在玻璃固化过程中消除。表面电荷都是负电荷并随烧结温度的上升而增加。但在获得低热膨胀系数的工艺条件下不易得到高的击穿电压。 ? 开槽之后，在槽内先生长1——2nm厚的氧化层可能对阻断电压的形成更为有利。800℃5分钟或720℃10——15分钟可以生长1.5nm左右的氧化层。（不包括10埃左右的原生氧化层） ?????????????????????????????????? 电泳方法 1）.异丙醇（IPA)和乙基醋酸纤维素(EA)作为悬浮媒介，以体积比IPA:EA=50:50混合。 2）.每100cc悬浮液中加入2——4克玻璃粉，超声4——5分钟后静置4——5 分钟后将其倒入石英或具有特氟隆涂层的不锈钢液槽内。 3）.按2.0——4.0cc/L的比例加入28%的氨水（或通氨鼓泡至浓度为0.03mol/L）. 4）.上述电解液添加好后超声混合4分钟然后将携带硅片及其反电极的装置浸入电解液中，硅片和反电极的最佳距离是2厘米。 5）.悬浮液静置30秒后由直流电源通过