用霍尔效应测磁场大学物理实验ppt精品.pptxVIP

WHCC—2A 型霍尔效应测磁仪 螺线管磁场测定仪  ; 用霍尔法测量磁场是根据霍尔效应制成的霍尔元件测量磁场。霍尔元件具有 结构简单、体积小、频率响应宽（从直流到微波）、输出电压变化大、自然寿命 长等优点，在测量技术、自动控制、信息处理等方面已有极广泛应用。 WHCC—2A 型霍尔效应测磁仪就是采用霍尔元件作为探头，来测量不同强弱 磁场的大小及其分布情况。 ;一、 目的和要求 1. 了解用霍尔元件测量磁场的原理。 2. 学习并掌握用霍尔元件测量长直螺线管磁场及分布的方法。 ;二、 实验原理 1．用霍尔法测量磁场的原理 1879年美国霍普金斯大学研究生院二年级研究生霍尔在研究载流导体在磁场中受力的性质时发现：处在磁场中的载流导体，如果磁场方向和电流方向垂直，则在与磁场和电流都垂直的方向上出现横向电场，这就是霍尔效应。所产生的电场称霍尔电场，相应的电位差称霍尔电压。产生霍尔效应的载流导体称霍尔元件。如图1所示，在厚为d，长和宽分别为L和D的N型半导体薄片的四个侧面MN（通常为长L的两端面，称电流输入端）和PQ（通常为宽D的两端面，称电压输出端），分别引出两对电极MN极和PQ极。当MN极通入工作电流IS时，在PQ极将出现霍尔电压UH。该电压的产生是由于半导体在磁场中作定向运动的载流子（传导电荷的粒子）受到洛伦兹力fE作用而偏转，结果使电荷在PQ两侧聚集而成电场，该电场又给载流子一个与fE反向的电场力fE。;当电场力fE和洛伦兹力fE达到平衡时，霍尔电压UH一定，且;q为载流子的电量，d为薄片的厚度。显然，霍尔元件的灵敏度K越大越好。因K和n成反比，而半导体载流子的浓度远比金属的为小，因此，一般霍尔元件都是用半导体材料做的。K又和d成反比，所以霍尔元件 图2 都很薄。 半导体材料分N型和P型两种。N型为电子型材料，载流子为电子，传导的是负电荷；P型为空穴型材料，相当于带正电的粒子。可见图1所示的霍尔元件是N型半导体材料。如果图1所示为P型半导体材料，则P侧面带负电荷，Q侧面带正电荷。因此，知道了半导体的类型，根据霍尔电压UH的正负，可以定出待测磁场的方向。反之，知道了??场方向，可以判出半导体的类型。 ;从（1）式可见，如果知道了霍尔元件的灵敏度K，则在测出了工作电流IS和霍尔电压UH（通常UH很小，需用电位差计测定）后，即可计算出被测磁场的磁感强度B的大小和方向。如果霍尔元件的灵敏度K为未知，则需先用标准磁感强度B根据（1）式定出K值，通常使工作电流IS一定，霍尔电压UH与磁感强度B值就可以从仪器上直接读出来了。这样的测磁仪器称特斯拉计（原称高斯计），特斯拉和高斯都是磁感强度B的单位，以上所述，就是用霍尔元件测量磁场的原理。;2．实验系统误差及消除 必须注意，（1）式是在理想情形下得到的，实际上从PQ极上测得的并不仅是霍尔电压UH，尚包括其它因素引起的附加电压，其中尤以不等式电位差影响较大。 1）不等位电势U0 由于制作时，两个霍尔电势不可能绝对对称的焊在霍尔片两侧（图2-1）、霍尔片电阻率不均匀、控制电流极的端面接触不良（图2-2）都可能造成A、B两极不处在同一等位面上，此时虽未加磁场，但A、B间存在电势差U0，此称不等位电势，U0＝ISR0，R0是两等位面间的电阻，由此可见，在R0确定的情况下，U0与IS的大小成正比，且其正负随IS的方向而改变。; 图2-1 图2-2;3）伦斯脱效应;4）里纪－杜勒克效应如3）所述霍尔元件在x方向有温度梯度 ;当＋IS，＋IM时 UAB1 ＝＋UH＋U0＋UE＋UN＋UR 当＋IS，－IM时 UAB2 ＝－UH＋U0－UE＋UN＋UR 当－IS，－IM时 UAB3 ＝＋UH－U0＋UE－UN－UR 当－IS，＋IM时 UAB4 ＝－UH－U0－UE－UN－UR 对以上四式作如下运算则得：;UH≈UH＋UE＝;1）对于无限长螺线管L- ∞或当L远大于R的有限长螺线管，其轴线上的磁场是一个均匀磁场，且等于：; 在实际应用中，将有限长直螺线管产生的磁场作为标准磁场是欠妥的，但作为学生是可取的。 2）对于半无限长螺丝管端或有限长螺线管两端口磁场为;4．用霍尔法测量磁场的电路 用霍尔法测量磁场的电路如图4所示。该图是电路原理图，在用不同的仪器进行测量时，具体电路可以有所变化，但基本原理是一样的。 ;三、 实验仪器 WHCC-2A型霍尔效应测磁仪由实验装置、测量装置（工作电路及测量仪表）两大部分组成。 WHCC-2A型霍尔效应测磁仪示意图如下：;1．霍尔效应测磁仪测量装置(如图5