03 半导体中载流子的统计分布【ppt】.pptVIP

考虑强电离、室温，EF~N 费米能级的位置：反映半导体的导电类型和掺杂水平 六、小结——单一杂质半导体 EF EC ED Ei EV EF EC ED Ei EV EF EC EA Ei EV EF EC EA Ei EV ND高 强n型 ND低 弱n型 NA高 强p型 NA低 弱p型 n型半导体 p型半导体 多数载流子 少数载流子 电子 空穴 空穴 电子 关系 * §3.5 补偿情形下的载流子浓度 含少量受主杂质的n型半导体：NDNA + + + + + + EC ED EA EV 电中性条件 或 NDNA 引入变数： 方程简化，得到关于Z的一元3次方程，求解复杂，实际无法应用 * §3.5 补偿情形下的载流子浓度 化简方程，多温度区讨论 1、低温弱电离区 本征激发可忽略，NDNA，EF钉扎在ED附近，远在EA之上，EA完全被电子填充：p0=0，pA-=NA 中性方程： （1） 温度极低：NAn0 * §3.5 补偿情形下的载流子浓度 （2） 温度较高：NAn0 ln(n0) 1/T NA * §3.5 补偿情形下的载流子浓度 （3） 一般情形 2. 强电离区 (ND-NA)ni * §3.5 补偿情形下的载流子浓度 3. 过渡区（考虑本征激发作用） 4. 本征激发区 * §3.5 补偿情形下的载流子浓度 多种施主，多种受主并存 电中性条件 * 已知S