模拟电子线路1.3 晶体二极管电路分析方法.pptVIP

1.3 晶体二极管电路分析方法 晶体二极管的内部结构就是一个PN结。就其伏安特性而言，它有不同的表示方法，或者表示为不同形式的模型： 适于任一工作状态的通用曲线模型 便于计算机辅助分析的数学模型 直流简化电路模型 交流小信号电路模型 电路分析时采用的 数学模型—伏安特性方程式 理想模型： 修正模型： rS — 体电阻 + 引线接触电阻 + 引线电阻 其中：n —非理想化因子 I 正常时: n ?1 I 过小或过大时: n?2 注意：考虑到阻挡层内产生的自由电子空穴对及表面漏电流的影响，实际IS??理想IS。 1.3.1 晶体二极管的模型 曲线模型—伏安特性曲线 V(BR) I (mA) V(V) VD(on) -IS 当V VD(on)时 二极管导通 当V VD(on)时 二极管截止 当反向电压V ? V (BR)时 二极管击穿 晶体二极管的伏安特性曲线，通常由实测得到。 简化电路模型 折线等效：在主要利用二极管单向导电性的电路中， 实际二极管的伏安特性。 I V VD(on) I V 0 a b I V VD(on) a b VD(on) RD D + - 理想状态：与外电路相比，VD(on)和RD均可忽略时， 二极管的伏安特性和电路符号。 开关状态：与外电路相比，RD可忽略时的伏安特性。 简化电路模型：折线等效时，二极管的简化电路模型。 小信号电路模型 ：为二极管增量结电阻。 （室温） ：PN结串联电阻，数值很小。 Cj：PN结结电容，由CD和CT两部分构成。 注意：高频电路中，需考虑Cj影响。因高频工作时， Cj容抗很小，PN结单向导电性会因Cj的交流旁 路作用而变差。 I V Q rs rj Cj 图解法 分析二极管电路主要采用：图解法、简化分析法、小信号等效电路法。（重点掌握简化分析法） 写出管外电路直流负载线方程。 1.3.2 晶体二极管电路分析方法 利用二极管曲线模型和管外电路所确定的负载线，通过作图的方法进行求解。 要求：已知二极管伏安特性曲线和外围电路元件值。 分析步骤： 作直流负载线。 分析直流工作点。 优点：直观。既可分析直流，也可分析交流。 例1：已知电路参数和二极管伏安特性曲线，试求电路的静态工作点电压和电流。 I V Q + - R VDD D I + - V 由图可写出直流负载线方程：V=VDD-IR 在直流负载线上任取两点： 解： VDD VDD/R 连接两点，画出直流负载线。 VQ IQ 令I =0，得V= VDD； 令V =0，得I = VDD / R； 所得交点，即为Q点。 简化分析法 即将电路中二极管用简化电路模型代替，利用所得到的简化电路进行分析、求解。 将截止的二极管开路，导通的二极管用直流简化 电路模型替代，然后分析求解。 （1）估算法 判断二极管是导通还是截止？ 假设电路中二极管全部开路，分析其两端的电位。 理想二极管：若V0，则管子导通；反之截止。 实际二极管：若VVD(on)，管子导通；反之截止。 当电路中存在多个二极管时，正偏电压最大的管子 优先导通。其余管子需重新分析其工作状态。 例2：设二极管是理想的，求VAO值。 图(a)，假设D开路，则D两端电压： VD=V1–V2= –6 –12= – 18 0V， 解： 故D截止。 VAO =12V。 + - D V2 V1 + - A O VAO + - 12V -6V 3K? (a) + - - + D1 D2 V2 V1 + - A O VAO 3K? 6V 9V (b) 图(b)，假设D1、D2开路，则D两端电压： VD1=V2 – 0= 9V 0V， VD2=V2–(–V1)=15V 0V 由于VD2 VD1 ，则D2优先导通。 此时VD1= –6V 0V， 故D1截止。 VAO = –V1 = –6V 。 （2）画输出信号波形方法 根据输入信号大小? 判断二极管的导通与截止 ? 找出vO与vI关系? 画输出信号波形。 例3：设二极管是理想的，vi =6sin?t(V)，试画vO波形。 解： vi 2V时，D导通，则vO=vi vi ?2V时，D截止，则vO=2V 由此可画出vO的波形。 + - D V + - + - 2V 100? R vO vi t 6 2 0 vi(V) vO(V) t 0 2 6 小信号分析法 即将电路中的二极管用小信号电路模型代替，利用得到的小信号等效电路分析电压或电流的变化量。 分析步骤： 将直流电源短路，画交流通路。 用小信号电路模型代替二极管，得小信号等效电路。 利用小信号等效电路分析电压与电流的变化量。