2013年78 太阳电池工艺流程简介—钱善春.pptxVIP

太阳电池工艺流程简介;目录;1.1、太阳能在生活中的应用;1.2、什么是太阳能电池;硅太阳电池： 1)单晶硅片 2)多晶硅片 3)非晶硅薄膜 4)多晶硅薄膜 ;6;1.5、何谓“工艺”;1.5、何谓“工艺”;二、工艺流程图;三、各工序工艺原理及基本操作简介;工艺方法：酸制绒清洗方法 利用硝酸和氢氟酸的混合液体系对硅进行腐蚀： ;延伸：绒面陷光原理 光在入射到硅片表面时，同时发生反射和折射，绒面的形成增加了光的二次甚至多次吸收，从而使得总的反射率下降。 ;本工序流程：;人员基本操作;扩散目的： 形成PN结，利用PN结的“光生伏特效应”，简称“光伏效应”， 将太阳的光能转换为电能 。;工艺方法：热扩散法 公司使用的原始硅片是P型硅，在高温（800度以上）石英扩散炉内，通过通入三氯氧磷（氮气携带）和氧气在硅片表面掺入一层磷，形成N型硅，从而将p型硅（掺硼）和n型硅（掺磷）制作在同一块硅片上，在P型和N型的交界面处就形成空间电荷区称PN结。;;三、各工序工艺原理及基本操作简介;本工序流程：;人员基本操作;刻蚀目的： 在扩散过程中，即使采用背靠背的单面扩散方式，硅片的所有表面（包括边缘）都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。经过刻蚀工序，硅片边缘的带有的磷将会被去除干净，避免PN结短路造成并联电阻降低，电池失效。;刻蚀工艺方法：湿法刻蚀 利用HNO3和HF的混合液体对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀，通过保证滚轮水平及药液配比保证硅片边缘沾液,去除边缘的N型硅,使得硅片的上下表面相互绝缘。 ;去PSG工艺方法：HF漂洗 利用氢氟酸能腐蚀溶解二氧化硅的特性来除去硅片表面的二氧化硅层。 。 ;三、各工序工艺原理及基本操作简介;本工序流程：;人员基本操作;镀膜目的： 利用光的干涉原理，减少入射光的反射，增加电池片对可见光的吸收，提高短路电流；同时，减少硅片表面的复合速率（表面钝化）以及增强烧结后的电池内部的钝化能力（体内钝化）。;三、各工序工艺原理及基本操作简介;;延伸：四分之一波长减反射原理 从第二个界面返回到第一个界面的反射光与第一个界面的反射光相位差180?，所以前者在一定程度上抵消了后者。 ;本工序流程：;人员基本操作;丝网印刷目的： 在太阳电池正面、背面引出电极，收集电流，并使组件易于焊接； 在背面形成背电场，利用背场的吸杂、钝化效应以及在背面形成的P+P高低结，来增加电池的载流子收集和转换效率。;三、各工序工艺原理及基本操作简介;工艺方法：丝网印刷 利用丝网图形部分网孔透浆料，非图形部分网孔不透浆料的基本原理进行印刷。 印刷时在丝网一端倒入浆料，用刮刀在丝网的浆料部位施加一定压力，同时朝丝网另一端移动。浆料在移动中被刮板从图形部分的网孔中挤压到硅片上。;①背电极印刷;本工序流程：;人员基本操作;烧结目的： 就是把印刷到硅片上的电极在高温下烧结成电池片,最终使电极和硅片本身形成欧姆接触,从而提高电池片的开路电压和填充因子2个关键因素参数,是电极的接触具有电阻特性,达到生产高转效率电池片的目的.;工艺方法：高温快速烧结 烧去有机溶剂； 玻璃料烧穿：玻璃料在高温下融化成液体，溶解银，增强银的烧结过程，使得浆料腐蚀穿过ARC； 在Si和PbO之间发生氧化还原反应 银生长到硅表面形成合金；;目的： 按照客户要求，对特定参数进行分选，目前的分档方式主要是对EFF（电池转换效率）进行分档。;3.7检测分检工序：;3.7检测分检工序：;四、回顾