《消除Buck转换器中EMI问题》.pdfVIP

摘要 要想消除开关模式电源转换器中的 EMI 问题会是一个很大的挑战，因为其中含有很多高频成分。电 子元件中的寄生成分常常扮演很重要的角色，所以其表现常常与预期的大相径庭。本文针对低压Buck 转换器工作中的 EMI 问题进行很基础的分析，然后为这些问题的解决提供很实用的解决方案，非常 具有参考价值。 1. 概述 在设计开关模式转换器的时候，电磁兼容问题通常总是要在设计完成以后的测试阶段才会遇到。假如 没有在设计的第一阶段就考虑到电磁兼容性问题，要在最后的环节再来降低其影响就会很困难，花费 也会很高。所以，为了确保产品设计过程顺畅无阻，能够得到最优化的设计，最好的做法是在设计一 开始的时候就开始考虑这个问题。在所有要考虑的因素中，元件选择和PCB 布局设计是获得最佳EMI 性能的关键。 2. 转换器中的EMI 源头 造成EMI 问题的辐射源有两类：交变电场 （高阻），交变磁场 （低阻）。非隔离的DC/DC 转换器具 有阻抗很低的节点和环路（远低于自由空间的阻抗377Ω，此值为真空磁导率µ。和真空中的光速C。 的乘积，也被称为自由空间的本质阻抗——译注），因而Buck 架构 DC/DC 转换器中主要的辐射源 通常是磁场。 磁场辐射是由小型电流环中的高频电流形成的。电流环所生成的高频磁场会在离开环路大约0.16λ 以 后逐渐转换为电磁场，由此形成的场强大约为 ： 其中，f 是信号的频率，单位为Hz；A 是电流环路的面积，单位为m²；I 是电 流环中的电流幅值，单位为A ；R 是测量点距离环路的距离，单位为m。 举例而言，一个1cm²的电流环，其中的电流为1mA，电流变化频率为100MHz，则距离此电流环3m 处的场强为4.4µV/m ，或说是12.9dBµV。 下图1 显示了一个流过1mA 电流的1cm²电流环所形成的辐射强度与电流变化频率之间的关系，图中 绿线是标准容许的3m 距离上的辐射强度阈值。 由图可见，由1mA 电流在1cm²环路中所形成的辐射并不容易超出规格的限制。现实中造成辐射超标 的原因常常是应该极小化的环路变成了大的环路，或者是附加在线路上的导线形成了多余的辐射。这 些大回路或导线所形成的天线效应将在总的辐射中发挥主要的作用。 3. 转换器中的电流回路 Buck 架构DC/DC 转换器中存在两个电流发生剧烈变化的主回路 ： 当上桥MOSFET Q1 导通的时候，电流从电源流出，经Q1 和L1 后进入输出电容和负载，再经地线 回流至电源输入端。在此过程中，电流中的交变成分会流过输入电容和输出电容。这里所说的电流路 径如图 中的红线所示，它被标注为I1。 当Q1 截止以后，电感电流还会继续保持原方向流动，而同步整流开关MOSFET Q 将在此时导通， 这时的电流经Q 、L1、输出电容流动并经地线回流至Q ，其回路如图 中蓝线所示，它被标注为 I 。 电流I1 和I 都是不连续的，这意味着它们在发生切换的时候都存在陡峭的上升沿和下降沿，这些陡 峭的上升沿和下降沿具有极短的上升和下降时间，因而存在很高的电流变化速度 dI/dt，其中就必然 存在很多高频成分。 在上面所述的回路中， 电流环I1 和I 共同共享了自开关节点→ 电感→输出电容→地→Q 的源极这一段路径。I1 和I 合成 起来后就形成了一个相对平缓、连续的锯齿状波形，由于其中不存在电流变化率dI/dt 极高的边沿， 其包含的高频成分就要少一些。 从电磁辐射的角度来看，图3 中存在阴影的A1 区域是存在高电流变化率dI/dt 的回路部分，这个回 路将生成最多的高频成分，因而在Buck 转换器的EMI 设计中是需要被重点考虑的最关键部分。图中 A 区域的电流变化率dI/dt 就没 A1 区域的高，因而生成的高频噪声也就比较少。 当进行Buck 转 换器的 PCB 布局设计时，A1 区域的面积就应当被设计得尽可能地小。关于这