（讲稿）薄膜太阳能电池激光解决方案.pptVIP

* P1激光刻线工序：TCO透明导电层通常为SnO2等氧化物。P1流程要求激光的波长能够透过玻璃但被TCO强烈吸收。所以要排除能够被玻璃吸收的中红外和深紫外激光。当然也要排除不能被TCO吸收的可见光激光波长。近红外波长（1.06微米）的固体激光是该流程的最佳选择；只需用几瓦功率的激光，穿透而不伤害玻璃覆板，却可以被TCO膜层强烈地吸收。 薄膜太阳能电池的制作工艺 * * P1激光刻线工艺研究-激光模式 半导体泵浦固体激光（1064nm）P1刻线样品（TCO） 基膜高斯光束刻线效果为：中心清除较干净，边缘逐渐过渡 对TCO的清除，要求经过激光刻线之后，线间电阻大于几兆欧甚至几十兆欧。TCO无残留，刻线边缘清晰，且边缘无烧痕。刻线宽度一般在50um-200um之间。 * * P1激光刻线工艺研究-激光功率 Schematic shows the basic geometry and functioning of a thin-film solar cell. P1刻线工艺对激光功率的要求依据刻线的宽度与刻线速度而定。通常，对于刻线宽度小于70um，刻线速度小于1000mm/s而言，需要的红外激光功率为5-8W（脉冲）。 刻线速度的计算公式为： 刻线速度=线宽*频率*（1-30%） * * P1激光刻线工艺研究-光束质量 激光光束质量影响刻线的有效焦深，光束质量越好，刻线时的离焦冗余度越高。 * * P1激光刻线工艺研究-脉冲宽度 激光的脉冲宽度对刻线效果也有重要的影响，脉宽越短，边缘热效应越小，清除越干净，残留越少。 热影响区域 * * P2激光刻线工艺研究 Microscope (top) and 3D depth profile (bottom) images of tandem-junction a-Si P2 scribe generated at 12 m/sec speed P2工序要清除的是有源层（非晶硅），其厚度为0.8um-2um左右。而TCO和背电极层的厚度均为几百纳米。 * * P2激光刻线工艺研究 P2工序激光清除非晶硅的原理不同于P1工序中对TCO层的清除。激光清除TCO是以激光的高功率密度将TCO直接汽化，则TCO层的厚度越大，需要的激光功率就越高。而激光清除非晶硅是基于一种微爆炸机制，只需要较小的功率就可以将非晶硅清除干净。例如，对于线宽小于80um，刻线速度小于1000mm/s的需求来说，只需要500mW左右的激光功率即足够。 * * P2激光刻线工艺研究 P2工序激光清除非晶硅的工艺控制比P1工序要求更高一些。原则上，功率越高，对非晶硅的清除效果越好，然而过高的功率容易伤及TCO层，影响电池的最终效率。功率过低，则不能对非晶硅进行有效的清除，容易导致残留或边缘凸起，不利于后面的工序。 为了保证非晶硅能够被激光有效地清除而又不伤及TCO，通常选择略低于TCO损伤阈值的激光功率进行加工，这个功率范围一般在100mW之内。 * * P2激光刻线工艺研究 虽然基模高斯光束具有很好的光束质量，较大的有效焦深，但由于其能量空间分布不均匀，中心强且向边缘逐渐减弱，因此对于加工功率要求范围较小的条件具有一定的限制。同时，边缘能量的逐渐变化导致一定的热效应影响区域。另外，高斯光束定义的光束宽度与实际有效的刻线宽度不一致，光学系统设计人员应该考虑这个问题。 刻线宽度 光束宽度 热效应影响区域 * * P2激光刻线工艺研究 通过光束整形的方法将基模高斯光束变换为平顶圆形光束或者方形平顶光束，减小刻线时边缘的热效应影响区域，使刻线边缘光滑，一致性好。 不足之处是，整形后的光束质量因子下降，光束有效焦深迅速减小（在偏离焦点后的位置，光束的能量分布迅速发生变化，不再维持平顶分布），对平台平整度要求提高。 * * P3激光刻线工艺研究 Microscope image of a-Si P3 scribe generated with Explorer 532-2 laser system at 1.5 m/sec speed P3激光刻线工艺与P2激光刻线工艺几乎相同。P3工艺清除的膜层为背电极金属层（例如铝膜），用激光直接清除金属层需要较大的功率，且工艺控制难度较大，则成本更高。因此，通常从背面通过清除非晶硅的方式，由非晶硅的微爆炸机制将金属层去掉。不足之处是使得三线宽度产生的死区范围增大，电池板的有效面积较小。 * * 薄膜太阳能电池的制作工艺 通过P1、P2、P3工序后，一块太阳能薄膜电池板的基本要素结构就已制作完毕。在光照条件下即能产生光生伏发电效应。配以后续工艺，就能制作成一块完整的光伏组件供用户使用。 * * 薄膜太阳能电池的制作工艺—BIPV 薄膜型太阳能电池的一个突出优势，是可以作为建筑幕墙。为满足幕