电力电子应用技术 第2讲 半导体基础.pptVIP

* 在T=0K时，半导体的价带被填满成为满带，但当温度升高时，满带（价带）中的电子受激发而越过较窄的禁带跃迁到上面的空带（导带）中。当价带中的电子向导带跃迁后，价带也出现空位（空穴），此时价带和空带均成为导带。在外电场的作用下，空带中的电子和价带中的空穴均参与导电，两者反向移动而形成同向电流（空穴带正电荷）。 半导体基础知识 P型半导体 在本征半导体中掺入三价原子，在构成共价键结构时将产生一个空穴 B(硼) + 空穴 Si Si Si Si Si Si B 这种以空穴导电作为主要导电方式的半导体称为空穴型半导体或P（Positive）型半导体。 多数载流子为空穴。 半导体基础知识 掺杂半导体： 一般情况下，杂质半导体中的多数载流子的数量可达到少数载流子数量的1010倍或更多，因此，杂质半导体比本征半导体的导电能力可增强几十万倍。 在室温情况下，本征硅中的磷杂质等于10-6数量级时，电子载流子的数目将增加几十万倍。 半导体基础知识 为什么要对半导体采用掺杂工艺？ 掺杂半导体的载流子浓度主要取决于掺杂类型和比例，与本征激发载流子相比，受温度的影响相对小得多，因此工作温度范围宽、性能稳定。 随着温度的升高，半导体材料的本征激发越来越强，本征激发载流子的浓度也越来越高。 当本征激发载流子浓度与掺杂载流子浓度达到可比拟的程度时，会出现什么现象？ －－